新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

作者:时间:2018-02-26来源:电子产品世界收藏

  横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商(STMicroelectronics,简称ST)今天宣布与远创达科技公司签署一份射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司,专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201802/376096.htm

  导电通道短且击穿电压高使器件适用于无线通信系统基站射频功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。与远创达的合作协议将扩大产品的应用范围。

  协议内容保密,不对外披露。



关键词: 意法半导体 LDMOS

评论


相关推荐

技术专区

关闭