TI更易用的精密电压参考IC

TI对其最新的精密电压参考IC：REF81保持了惊人的低调。

它是同样安静释放的REF80的改良型，REF80是一种温控埋藏的Zener参考，漂移率为0.05ppm/°C，稳定性优于1ppm。其输出约为7.6V，规格范围为0至+70°C。

经过1000小时（且最高5000小时），稳定性提升至0.3ppm。

这使其接近Linear Tech（后来由ADI开发）传奇的~7V LTZ1000参考，后者同样是烤箱埋藏齐纳设计，漂移为0.05ppm/°C，规格范围为强大的-55至+125°C，长期稳定性为2μV/√kHr。

ADI自己尝试的LTZ1000重新设计~6.62V ADR1000电池，初始3000小时后典型长期漂移为0.5ppm/年，且优于0.2ppm/°C。 其温度范围为-40至+125°C。

这里需要说明的是：对此类引用进行限定本身就是一门科学，因此上述标题规格不太可能是完全相同的对比。

在目前所有详细描述的案例中，优先级是稳定的输出电压，该电压的确切幅度会在优先级列表中，具体取决于不同器件的生产差异。

ADR1000在输出幅度精度上优于LTZ1000：初始精度为6.62V±50ppm，而7V +300mV-200mV。

TI的REF80 7.6V被描述为±50mV，数据手册中有一个直方图显示，如果Electronics Weekly读得正确，初始精度为-25到-35mV。

新REF81通过在相同的温控9 x 9mm密封陶瓷表面贴装内，向REF80增加了缓冲器和精密增益放大器，从而克服了对齐纳器的依赖输出电压。

与REF80类似，其规格范围为0至+70°C。

REF81 输出为无缓冲的类似 REF80 的 ~7.6V（2025 年 10 月的提前信息表未规定容差），但 IC 还将提供以下选项：

• 2.5V±0.05%，4.096V±0.05% 或5V±0.05%

• 5V±0.1%，8.192V±0.1% 或 10V±0.1%

根据数据手册，“控制环路、精密电阻和缓冲器的集成消除了对外部精密元件的需求。”

这两个范围是两个由焊盘选择的作模式的结果，在高级数据手册中分别称为“x1”和“x2”，或“0.5x”和“1x”。

EEPW曾询问TI两种模式中三种电压的选择方式——不过从这个示例设计来看，需要一个REF8150，实际上有三个独立的集成电路，这是5V/10V版本。

7.6伏输出仍规定为0.05ppm/°C和0.3ppm（1000至5000小时），缓冲输出的温度漂移尚未公布。