2440裸机学习心得(下)
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12、NORFLASH操作
norflash为EN29LV160AB
对norflash的操作主要就是读、写、擦除和识别
EN29LV160AB的数据宽度可以是8位字节型，也可以是16位的字型，它由某一引脚配置实现的。在这里我们选择字型
BYTE#位置硬件接地，直接默认为Word Mode（16位）
写操作只能使“1”变为“0”，而只有擦除才能使“0”变为“1”。因此在写之前一定要先擦除
对norflash另一个比较常用的操作是读取芯片的ID
NorFlash启动,nGCS0接NorFlash,起始地址为0x0。0x0000 0000–0x0800 0000为NorFlash
注意几个地方：
1、#defineCMD_ADDR0*((volatile U16 *)(0x555<<1+flash_base))
之所以又把norflash中的地址向左移一位（即乘以2），是因为我们是把s3c2440的ADDR1连接到了norflash的A0上的缘故，（自己看原理图），容易理解，等于本来最低位的数被推后没了，要左移拉回来。
2、check_toggle函数（校验函数）中
oldtoggle = *((volatile U16 *)0x0);newtoggle = *((volatile U16 *)0x0);
表示两次读值
if((oldtoggle & 0x40)==(newtoggle & 0x40)) //表示两次的DQ6是否相同
if(newtoggle & 0x20)//DQ5是否为1
几个常用的函数：
读函数： read_en29lv160ab(U32 addr)
return *((volatile U16 *)(addr));//数据要转为16位
写函数： en29lv160ab_program(U32 addr, U16 dat)
第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，
第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，
第三个周期是把命令0xA0再写入地址为0x555命令寄存器中，
第四个周期为真正地把要写入的数据写入到norflash的地址中。
复位函数： reset_en29lv160ab(void)
是向任一地址写入复位命令0xF0
擦除函数： en29lv160ab_sector_erase(U32 section_addr)
第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，
第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，
第三个周期是把命令0x80再写入地址为0x555命令寄存器中，
第四个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，
第五个周期是把命令0x55再写入地址为0x2AA命令寄存器中，
第六个周期是把命令0x30写入要擦除块的首地址内
验证函数： check_toggle()
连续两次读取数据总线上的数据，判断数据总线上的第6位数值（DQ6）是否翻转，如果没有翻转则正确，否则还要判断第5位（DQ5），以确定是否是因为超时而引起的翻转。
读ID函数：get_en29lv160ab_id()
第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，
第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，
第三个周期是把命令0x90再写入地址为0x555命令寄存器中，
第四个周期为读取地址为0x100中的内容，即厂商ID（0x1C）。
读取设备ID的过程的前三个周期与读取厂商ID相同，第四个周期是读取地址为0x01中的内容，即设备ID（0x2249）
问题1：
原来真的是写得块地址问题，写到前面的0x400就行，写后一点如0xf0000就读不出来了，0x0000 0000–0x0800 0000为NorFlash，为什么后面的不行呢？
问题2：
本来擦除后写完能读出写的内容，但再复位后不写，只读回上次地址，发现读出不同的数据
而且好像擦除后就算返回return 1也没用，擦后读回那地址，也不是全部数据为0的，也是有值的
13、NANDFLASH操作
nandflash为K9F2G08U0A，它是8位的nandflash
一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来
K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块
内存容量大小计算：
要实现用8个IO口来要访问这么大的容量，K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。
列地址是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址A18开始。
CMD_STATUS读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器，通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成（判断第6位），以及是否成功完成（判断第0位）。
自己编写NANDFLASH的步骤：（进行块擦除，页写，页读）
1、在头文件中列出相关的固量 和 函数 宏
常用的各种命令集；一些基于NANDFLASH控制器的基本函数
ECC应用和使能nandflash片选；NFSTAT寄存器
一些返回判断值的宏定义
2、写出几个基本的初始化函数：
管脚，寄存器初始化函数 ； 复位函数 ； 读NANDID号函数
3、相关的检测判断函数：
A、检测是否写擦除成功函数NF_toggle：通过NF_CMD(CMD_STATUS)状态位
B、测试是否坏块函数NF_testBadBlock：读取2054处坏块标志位
C、写坏块标志函数NF_MarkBadBlock：写标志到 2054处
4、读、写、擦除函数：
具体自己看代码了，有两点要注意了：
A、读操作 检测正确性是通过ECC检验码，而写和擦除是通过toggle函数
B、随机读写是 在读页，写页的基础上 加上列的部分
注意区别两个东西：
1、ECC检验码的判断
读操作来说，我们还要继续读取spare区的相应地址内容，已得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC，并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1（因为K9F2G08U0A是8位IO口，因此这里只用到了NFESTAT0）中的低4位来判断读取的数据是否正确，其中第0位和第1位为main区指示错误，第2位和第3位为spare区指示错误。
2、坏块的判断
对于写页和擦除操作来说，通过toggle函数检测：
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令
//判断状态值的第6位是否为1，即是否在忙
//判断状态值的第0位是否为0，为0则写操作正确，否则错误
若第0位操作错误，则该块为 坏块
3、main区和spare区的解锁只为了产生ECC码，一旦产生后，就要锁上，打开另外区的，不要影响互相顺序的ECC码产生
扩展：从NANDFLASH启动程序
当检测到是由nandflash启动时，系统会自动把nandflash中的前4k字节的数据加载到Steppingstone中，然后把该Steppingstone映射为Bank0，因此系统会从Steppingstone开始运行程序，从而实现了s3c2440的nandflash自启动的功能
通过在Steppingstone中，把程序的其余部分复制到RAM中，程序运行时由Steppingstone转移到该RAM中，SRAM起始地址0x30000000
RdNF2SDRAM是C语言编写的一段把nandflash中的数据复制到SRAM的程序
看看这函数，了解一下就行了
附加：nandflash、norflash、SDRAM的区别：
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，
RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/201611/323342.htm
RAM |
SRAM |
DRAM |
SDRAM，DDR RAM等 |
ROM |
EROM,E2PROM等 |
NANDFLASH、NORFALSH等 |
关键词：
2440v裸机学
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