采用电波暗室测试电路的RF噪声抑制能力
GSM手机的随处可见正导致不需要的RF信号的持续增加,如果电子电路没有足够的RF抑制能力,这些RF信号会导致电路产生的结果失真。为了确保电子电路可靠工作,对于电子电路RF抑制能力的测量已经成为产品设计必不可少的一个环节。本文介绍了一种通用的RF抑制能力测量技术-RF电波暗室测量装置,描述了它的组成和操作方式,并给出了实际测量结果的例子。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/195444.htm现在大多数蜂窝电话采用的无线技术是时分多址(TDMA),这种复用技术以217Hz的频率对高频载波进行通/断脉冲调制。容易受到RF干扰的IC会对该载波信号进行解调,再生出217Hz及其谐波成分的信号。由于这些频谱成分的绝大多数都落入音频范围,因此它们会产生不想要的听得见的“嗡嗡”声。由此可见,RF抑制能力较差的电路会对蜂窝电话的RF信号解调,并会产生不希望听到的低频噪音。为了测量产品的质量,测试时需要把电路放在RF环境中测量,该RF环境要与正常操作时电路遇到的环境相当。
本文描述了一种通用的集成电路RF噪声抑制能力测量技术。RF抑制能力测试将电路板置于可控制的RF信号电平下,该RF电平代表电路工作时可能受到的干扰强度。这样就产生了一个标准化、结构化的测试方法,使用这种方法能够得到在质量分析中可重复的有用结果。这样的测试结果有助于IC选型,从而获得最能够抵抗RF噪声的电路。
可以将被测件(DUT)靠近正在工作的蜂窝电话,以测试其RF敏感度,但是,为了得到一个精确的、具有可重复性的试验结果,需要采用一个固定的测量方法,在可重复的RF场内测试DUT。解决方案是采用RF测试电波暗室,提供一个可精确控制的RF场,其相当于典型移动电话所产生的RF场。
下面,我们对Maxim的一款双运放(MAX4232)和一款竞争产品(X)进行RF抑制能力比较测试。
图1:双运放的RF噪声抑制能力测量电路(online)
RF抑制测试电路(图1)给出了连到待测双运放的电路板连接,每个运算放大器被配置成交流放大器,没有交流输入时,输出设置在1.5V直流电平(VCC = 3V)。反相输入通过1.5环线(模拟输入端的PC引线)短路至地,该环路用来模拟实际引线的的效应,实际引线在工作频率下会作为天线,收集和解调RF信号。通过在输出端连接一个电压表,测量和量化运算放大器的RF噪声抑制能力。
图2:RF噪声抑制能力测量装置
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