基于TPS2301的热插拔电路设计
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为了保证MOSFET在最坏条件下能安全工作，设计时还必须进行一定的降额设计。图2中的MOSFET的SOA图是在室温25℃时的结果，而系统的实际工作温度肯定不会一直维持在25℃。假设系统工作的最高环境温度为50℃，那么，就必须重新测试出50℃情况下的SOA曲线。
首先，计算25℃下的功耗：
其中，RTHJC可从MOSFET数据手册中查询到。现对环境温度50℃下的功耗进行同样的计算：
这样，MOSFET的降额系数可通过下式计算：
为了反映调节过的额定功率，需要把表示施加最大功率的时间值的对角线向下平移。现使用1 ms线来举例说明其曲线原理。例如，在这条线上取一点，如(30 V，10 A)，这点的功率为300W，那么，在30 V，降额后的功率所对应的电流为7．14 A，这样，在SOA图上，这点将确定新的50℃降额后的l ms线。使用同样的办法可确定新的10 ms以及100μs线等。
3．4 定时电容的选取
在图2中沿IMAX≈11 A画一条水平线，再沿VMAX≈13．2V画一条垂直线，并确定它们与黑色实线的交叉点。这些交叉点所指示出的1 ms与10ms之间的某个时间，也许是3 ms，就是应选择的时间。在对数坐标图的小范围内，一般很难获取准确的数值，因此，要进行慎重的选择，并要考虑到这些选择对性能以及价格等其它标准的影响，同时要确保留有足够的容差。
小于3ms的定时器足以保护MOSFET，如果选定的时间恒定为3 ms，则定时电容就可通过下公式获得：
3．5 最终设计电路
根据上述分析，最终得到的基于TPS2301芯片的热插拔控制电路如图3所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/180624.htm
4 结束语
该电路经实际应用，在对故障电路板进行插拔时，设备中的其他电路板可以保持正常工作，设备性能不受影响，故可证明，该设计符合实际使用要求。
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