基于TPS2301的热插拔电路设计
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3．1 正常电压输出门限设置
正常输出电压门限可由VSENSEl管脚来控制，而VSENSEl管脚电压则由跨接在输出V01与GND间的电阻RVSENSE1_TOP和RVSENSE1_BOTTOM分压获得。
将该电压与芯片内部的参考电压(1．225 V±2％)进行比较，可确定实际输出电压是否在输出允许范围之内。例如输出电压为12 V，允许调整范围为±lO％，那么，输出电压的最低要求为10．8V，因此，可以此计算出反馈电阻RVSENSE1_TOP和RVSENSE1_BOTTOM的取值要求。
在选择RVSENSE1_TOP和RVSENSE1_BOTTOM阻值时，应尽可能选择阻值比较大的电阻(10 kΩ以上)，这样能有效减少不必要的电源损耗。当V01小于V01min时，PWRGDl的输出将置低，直到V01输出正常。
3．2 感应电阻RSENSE与过流限制电阻RISET1的选择
检测电阻RSENSE的取值应根据后端负载的最大工作电流来选取。假定过流电流ILMT1=11A，那么，在选择检测电阻时，就必须选择允许通过电流范围大于11A的检测电阻，并确保检测电阻上的自身功耗不超过其额定功率。本设计选择的检测电阻的内阻为0．003Ω，自身允许功耗为l W。表1提供了部分检测电阻的规格和指标。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/180624.htm
选定检测电阻后，即可根据以下公式来确定过流限制电阻RISET1的大小。
3．3 MOSFET的选择
选择合适的MOSFET的第一步是选定VDS和ID标准。对于12 V系统来说，VDS应为30 V或40V，这样可以处理可能损坏MOSFET的瞬变。MOSFET的ID应远大于所需的最大值，图2所示是MOSFET的SOA图。事实上，在大电流应用中，最重要的指标之一是MOSFET的导通电阻RDSON。较小的RDSON能确保MOSFET在正常工作时具有较小的功耗，并在满负载条件下产生最少的热量。
为防止MOSFET过热，应考虑MOSFET在直流负载条件下的功耗。随着MOSFET温度的升高，通常额定功率将会减小或降额，此外，在高温下工作时，MOSFET的使用寿命也会缩短。
本设计选择的MOSFET型号为IRLR3103，其中VDSS为30 V；RDS(ON)为0．019 Ω；ID为46 A。这样，根据后端负载最大电流为11A就可以计算出MOSFET上所损耗的功率：
查询TRLR3103数据手册可得出RTHIJ=50℃／W，由于MOSFET需要消耗约2．3W的功率，因此，最坏条件下，其温度可能上升到高于室温的115℃。降低这个数值的一种方法是并联使用两个或更多的MOSFET，这样能有效降低RDS(0N)，从而降低MOSFET的功耗。使用两个MOSFET时， 假设电流在器件间均匀匹配(允许一定的容差)，那么，每个MOSFET的温度升高最大值为29℃。
假设室温TA为25℃，再加上这个温度上升值，那么每个MOSFET的最大温度为54℃。
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