一种200V/100A VDMOS 器件开发
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4 测试结果
流水所得芯片如图5 所示，面积14400 μ m ×10800μm，其中左边两个角上深色方块为栅极压点，中间区域七个深色图形为源极压点。采用JU NODTS1000 系统测试结果如表2 所示，各参数良好，其中RDS(on)和Vsd 均为脉冲测试。图6 为元胞扫描电镜图片，其中N 阱、P 阱及多晶硅下的“鸟嘴”清晰可见，后者显着减小了该区域栅电容。图7、图8 分别为Tektronics 371 晶体管图示仪测试所得漏源击穿电压和栅源耐压波形，可见器件漏源击穿特性良好，栅源耐压大于83V，达到本征击穿。
图5 200V/100A芯片照片
图6 元胞扫描电镜分析
图7 漏源击穿电压波形
图8 栅源耐压波形
表2 200V/100A VDMOS器件参数测试结果
5 结论
本文采用圆弧形分布沟道与局域氧化相结合的方法开发出一种200V/100A VDMOS器件，在一定程度上解决了器件导通电阻改善与开关损耗增大的矛盾。对流水过程中的关键工艺进行了监控，所得器件具有较好的综合性能， 为国产大电流功率MOSFET 器件研发探索出一条途径。
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