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基站电源中同步电路的设计方法

作者: 时间:2011-03-19 来源:网络 收藏

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/179398.htm

3.1 时间坡度

时间坡度的幅度也需要比比较器的上限幅度低10%,最小的脉冲幅度必须补足这个10%的幅度-幅度差,如果稍大则更加可靠。

减小这个幅度-幅度差,充电和放电幅度都会减小,这将使CT的放电时间减小,从而使死区时间减小。脉冲的宽度越宽,芯片的死区时间越长,所以,脉冲的宽度只要足够宽能被芯片的比较器检测到就可以了。

3.2 晶振坡度方程

根据手册,时间元件CTRT可以用来设定频率和死区时间。为了取得更好的应用效果,必须很好地分析附加的同步对时间的影响。

3.2.1 晶振充电坡度方程

ΔVOSC=

Icharge=Vcharge/RT

tchargeVOSCCT/Icharge

ΔVOSC=VthupperVthlower

ΔVOSC′=ΔVOSCV24Ω

V24Ω=24Icharge=24Vcharge/RT

如果死区时间相对整个周期很小,那么以上这些计算公式也可以简化。这时改变坡度电压的效果在于减小CT的充电时间(tcharge),从而使晶振的充电时间同步到更高的频率。新的充电时间(tcharge′)是原来的充电时间乘以原频率和同步频率的比值,新旧充电时间的比值P

P===

当充电电流小或者RT大时,24Ω电阻上的电压可以忽略。CT上的电压峰峰值为2V时,2mA的电流将产生2.5%的时间误差。最好使IC的晶振频率比同步频率低15%,也就是说P=0.85,这时

ΔVOSC(sync)′=ΔVOSC(orig)P=0.85ΔVOSC(orig)

tchg(sync)′=tchg(orig)P=0.85tchg(orig)

V(sync)的最小幅度为0.15ΔVOSC(orig)

晶振峰—峰电压为2V时,最小的同步脉冲幅度为0.3V,宽度为脉冲周期的15%。

3.2.2 晶振放电坡度方程

正确的死区时间控制是很重要的,增加同步后减小了时间电容CT的放电时间,也就减小了PWM的死区时间。这样一来,首先CT上的电压峰值坡度减小了ΔVOSC(orig)-ΔVOSC(sync),这就使时间电容从一个比较小的电能开始放电。其次,根据电流的大小,24Ω电阻上产生了一个偏置电压。典型的IC放电电流从6mA到12mA。在充电时,因为充电电流只有1mA到2mA,所以,在24Ω电阻上的偏置电压可以忽略,而放电电流是充电电流的近十倍,所以,在24Ω电阻上的偏置电压不可以忽略,即在计算死区时间时必须考虑24Ω电阻上的偏置电压。

只要知道芯片的放电电流,就可以计算死区时间。当然,比较方便的办法是使用手册里的CT和死区时间对应表格,并加上同步电路的影响。简言之,放电电流是8mA。

ΔVdschg′=ΔVdschg(orig)PV24Ω=0.85ΔVOSC(orig)-0.2

tdchg′=tdchg(orig)t24Ω=tdchg(orig)

这里tdchg(orig)是表中的死区时间。

实际的死区时间是CT的不放电时间和同步脉宽之和。同步脉宽使PWM输出关闭,因此,必须计入死区时间。同步脉宽补偿了“失去”的死区时间,或者说是死区时间的延续。即

tdead′=tdchg′+tsyncpulsewidth

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