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一种低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计

作者: 时间:2011-07-27 来源:网络 收藏

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/178820.htm

  4 结论

  本文提出的这款 器,能保证在μF 级别的寄生电容范围内都可以正常工作。

  该 的静态电流低至10μA,文中同相放大器的引入,提高了整个 的带宽。从仿真结果可以看出,在负载电流Iload=50mA 时,带宽为470KHz。

  该LDO 其它各方面指标都满足设计要求。

  误差放大器电路原理图如图2 所示。对该EA部分(3μA)以及低的失调电压的要求,根据σ2(VT)= A2VT / WL+S2VTD2以及MOS 管的平方率关系[5],设计出各MOS 管的尺寸,M1 和M2 的宽长比为41/2, M3 和M4 的宽长比为4/1,M5 和M6 的宽长比为2/1, 我们这里取W1=W2=82μm,L1=L2=4μm;W3=W4=12μm,L3=L4=3μm;W5=W6=8μm,L5=L6=4μm。实际上,在EA 这部分为了让这一级增益Ger 不小于10dB 且保证有足够的相位裕度,将反馈电容CFF设计为20.8pF,把C1 设计为1.5pF。该部分的仿真结果如图3 所示。结果表明,该设计在保证稳定的前提下Ger 为11dB[6]。
图2 EA 与反馈网络
图2 EA 与反馈网络
图3 EA 的环路增益
图3 EA 的环路增益
图3 EA 的环路增益
  2.4 同相放大器设计
  同相放大器电路结构如图4 所示。这一级主要是获得整个环路最大的增益Gnon- inv=25dB~30dB。
图4 同相放大器结构
图4 同相放大器结构

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