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高电源抑制的基准源的设计方案

作者: 时间:2011-08-04 来源:网络 收藏

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/178787.htm

  1.2 LDO

  LDO在低频时的PSR主要取决于运放的增益,为此选择折叠共源共栅电路。此LDO电路基于文献中的电路修改,如图2所示,并采用PSR高的偏置生成电路。

  1. 3 启动电路

  Brokaw核心本身存在0状态,VQC5基极为高电平,VQC2、VQC1基极为低电平,因此引入如图3的启动电路。

  图3中右下角即为启动电路。对于常规Brokaw,当VQC2基极电压低于启动电压时,VQCS2将VQC5基极电压拉低VQC2基极电压拉高,使电路启动,所以VQCS2仅需很小的基极电流就可以使电路启动。

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