智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B
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3．5 CCM关断阶段
在CCM模式时，关断过程要陡峭得多，di／dt免不了会更高。导通阶段对DCM及CRM是理想的，但此时不能重复。在同步整流MOSFET导通阶段，电流将线性地衰减，因此同步整流MOSFET的VDS将升上来。一旦初级开关开始返回导通状态。同步整流MOSFET的电流会迅速减小，其压降跨过VTH阈值而关断，具体见图5。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/178709.htm
关断速度较临界，为防止初级的交叉导通，并减少开关损耗，此时要一段消隐时间加入，但此阶段要给出非常快的动作速度，随着VDS达到VTH3迅速复位。
图6给出二次侧的DCM、CRM和CCM的工作波形。图7给出最大允许的VCC电压和不同负载的最高开关频率关系。
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