基于TOP243Y的单片反激开关电源设计
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3．5 次级绕组匝数NS的计算
本文选用TOP243YN作为开关电源的主芯片，对TOPSwitch器件来说：
NS=0．6(VO+VD) (7)
式(7)中VO为输出电压，VD为输出二极管正向压降。本设计5 V输出二极管采用超快恢复肖特基二极管，因此：NS≈3．4取整数，次级绕组NS为4匝。
3．6 初级绕组匝数NP的计算
±12 V次级绕组的电压：VS1=VO+VD+VL=12．9 V。故可得：n≈0．117 2，则两个次级匝数计算为：NS1(2)≈9．05，取整数后，+12V次级绕组均取为9匝。
3．9 确定初级导线的内径
根据初级层数d、骨架宽度b和安全边距M，利用式(11)计算有效骨架宽度bE：
bE=d(b-2M) (11)
本设计中取d=3，b=9.6mm，M=0代入式(11)：bE=28．8mm。
利用式(12)计算导线的外径：
得到：DPM≈0．36mm，由AWG的导线规格表查得，与直径0．36mm最接近线号是28AWG。
3．10 确定次级导线的内径
次级裸导线直径可用式(13)表示：
其中，根据文献可得电流密度为式(14)：
代入电流密度和次级有效值电流的值，可得到次级导线线径为：DSM≈0．98 mm。
当DSM>0.4mm时，建议应采用多股导线并绕NS匝，由AWG的导线规格表可得选用25AWG。与单股粗导线绕制方法相比，多股并绕能增大次级绕组的等效截面积，改善磁场耦合程度，减小漏感。
3．11 变压器气隙的计算
对于单端度激式变压器的磁芯，为了避免磁芯饱和，减小变压器的高频磁芯损耗及发热问题，应该在磁回路中加入一个适当的气隙σ。
4 无源RCD钳位电路的参数设计
在MOSFET管漏极增加钳位保护电路，对尖峰电压进行钳位或者吸收，防止开关管损坏，如图1所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/170642.htm
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