使用纮康HY11P系列单芯片实现电压与温度量测应用

　　在下列设定下，取样8192笔A/D输出数据进行分析：(VDDA=2.4V、VR+=VDDA、VR-=VSS、INH=AI0、INL=AI1、INIS ON(内部短路)、OSR=8192、PGA=1、GAIN=1，内部増益共放大1*1*2=2倍)。

　　其8192笔分析数据显示RMS Noise = 10.92 LSB，Time Domain可参照下表4-3，但依据软件程序处理方式为每次取4笔值平均来计算，总共有效笔数为8192/4=2048 笔，重新计算其RMS Noise =6.26 LSB。

　　则Input RMS Noise(uV) = 6.26*2.4/(1*1*2*2^22) = 1.791uV

　　因此实际测得该Input RMS Noise=1.791uV，若要做到40000 counts，400.00mV显示，内外RMS Noise比设定为1:5(Input RMS Noise必须小于2uV)，外部1格稳定显示是没问题的。

　　表 4‑3 Time domain (at PGA*GAIN=1*1)

　　在下列设定下，取样8192笔A/D输出数据进行分析：(VDDA=2.4V、VR+=VDDA、VR-=VSS、INH=AI0、INL=AI1、INIS ON(内部短路)、OSR=32768、PGA=8、GAIN=8，内部増益共放大8*8*2=128倍)。

　　其8192笔分析数据显示RMS Noise = 75.53 LSB，Time Domain可参照下表4-4，但依据软件程序处理方式为每次取4笔值平均来计算，总共有效笔数为8192/4=2048 笔，重新计算其RMS Noise =68.21 LSB。

　　则Input RMS Noise(uV) = 68.21*2.4/(8*8*2*2^22) = 0.305uV

　　因此实际测得该Input RMS Noise=0.305uV，若要做到10000 counts，10.000mV显示，内外RMS Noise比设定为1:3(Input RMS Noise必须小于0.33uV)，外部1格稳定显示是没问题的。

　　表 4‑4 Time domain (at PGA*GAIN=8*8)