无线手持产品过去的经验法则

　　图3是一个紧邻高频源的IC等效电路及其模型。该模型显示了与放大器输入端相连的传导路线和近场路线。

　　根据天线原理，长度小于载波频率波长¼的传导线可构成有效的天线。因此，当载波频率为2.4 Ghz时，31.25毫米 (1.2英寸)长的PCB板上的线路就构成有效天线。评估板上的外接元件(即电容，电阻)也对于RF频率也形成了接收天线。

　　图3. 等效电路的行为模型

　　注：

　　l TRACE PARASITIC：传导线寄生参数

　　l PCB CARD：PCB板

　　l LOW FREQUENCY CONDUCTED INTERFERENCE：低频传导干扰

　　l NEAR FIELD INTERFERENCE：近场干扰

　　l PACKAGE：封装

　　l BOND WIRE：键合线

　　现在我们已经明白RF信号是如何耦合进入低频音频电路的，接下来让我们回顾以前在远场研究中所取得的成果。

　　一些论文讨论了源自远场天线的传导干扰及其通过运算放大器对RF解调产生的影响[1,4-6]。同样，在这些实验中，RF调制信号被直接导入放大器的输入管脚。实验结果显示：

　　1. 通过增加输入电阻和反馈电阻的阻值，可以增大串联电阻和寄生电容，从而提高反相运算放大器电路抗射频干扰(RFI)的能力，RC(电阻和电容)构成了一个低通滤波器，防止干扰信号到达音频放大器的输入端[5]。

　　2. 寄生电容Cin(反相和同相输入之间形成的电容)和CRg (穿过Rg)可使反相运算放大器电路的抗RFI能力比同相运算放大器电路强[6]。

　　3. 由于RF信号引起的集电极电流的变化高于MOS管漏电流的变化，MOS管比双极型晶体管不易受RF信号的影响。事实上，由于双极型晶体管的非线性特性，场效应管本身就比双极型晶体管更不易受RFI的影响[4]。同时，大多数在音频频段工作的运算放大器是采用大阵列高电压CMOS工艺制造，与采用相近电压的双极工艺相比，其RF信号带宽更窄。

　　以前的研究结果认为，较高阻值的反馈电阻、使用RFI 电容以及采用本身线性特性更好的MOSFET输入元件等，均可降低RFI。下面，我们在近场条件下对这些结论进行评估。

　　图4显示了用于研究近场干扰的评估电路板和天线位置。有关如何利用大多数高频模拟实验室都拥有的标准设备搭建测试平台的详细介绍，请参考Intersil网站(http://www.intersil.com/data/an/AN1299.pdf)中的应用说明AN1299。测试平台产生以1kHz调制信号调制的RF信号扫频源，利用该1kHz调制信号可以跟踪输入RF源信号至音频放大器输出端的信号的输出。