电源产品的趋势与创新

　　低压方案

　　低压传统上指MOSFET工作在200V及以下，通常是多芯片模块(MCM)和负载开关产品，现在业界把“中功率IC产品”也纳入其中。Fairchild创新的MLP(低功耗电源管理)产品有多种小型化封装方案，使传统的SO-8趋向于双3mm×3mm，D-Pak趋向于Power56和Power33，Power56趋向Power33，Power33趋向Power22方案，而能效、功率密度更佳，EMI更小。今后低压MOSFET将在应用方案、Trench(沟槽) MOSFET技术、线性IC设计和封装方面等继续创新。

　　功率研讨会上的新产品和新观念：SuperFET向SupreMOS转化

　　在09年12月初美国的Asiapress功率研讨会上，Fairchild离线(Off-line)电源的全球技术市场推广经理Van Niemela介绍了该公司的几项创新技术：(1)SupreMOS技术，相比SuperFET(图4)，有更低的RDS(ON)、更低的输入电容;(2)临界导通模式交错式PFC控制器可提高能效，具有相位管理、低谷开关技术等，典型产品如FAN9612;(3)ORing FET打破了在5mm×6mm印脚(Footprint)时RDS(ON) 1mW的最低记录，典型产品如FDMS7650。

　　美国EDN杂志执行编辑Ron Wilson在主持会议时说，目前服务器农场(Farmer)和基站是最受关注的耗能大户。另外，家庭待机功耗、照明、便携式产品等也是节能关注的热点。

　　Altera Hardcopy ASIC部门高级总监Dave Greenfield说，为了降低功耗，需要在芯片、软件和系统级方面创新：(1)芯片方面，要平衡制程技术，例如更低的核心电压通常可以降低动态功耗，制程的提高不能对降低静态功耗(漏电流)有帮助，但可以通过其他技术来降低功耗;(2)芯片要采用多种设计技术，需要精确地预估关键的起始点，功率驱动的综合更重要，而过去较关注的却是性能和密度;(3)系统级方面，例如DDR3虽然性能比DDR2性能强大，但是功耗却更低。