干货 | LED芯片原理知识大全一览

发布人：传感器技术时间：2021-08-13 来源：工程师发布文章

LED简史

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识。1962年，通用电气公司的尼克•何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。

LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。

最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。

LED芯片原理

LED(Light Emitting Diode)，发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

LED芯片的分类

MB芯片定义与特点

定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片，该芯片属于UEC的专利产品。
特点：

采用高散热系数的材料 —— Si作为衬底，散热容易。
通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
尺寸可加大，应用于High power领域，eg：42mil MB。

GB芯片定义和特点

定义：Glue Bonding(粘着结合)芯片，该芯片属于UEC的专利产品。
特点：

透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
芯片四面发光，具有出色的Pattern图。
亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

TS芯片定义和特点

定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专利产品。
特点：

芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。
信赖性卓越。
透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
应用广泛。

AS芯片定义和特点

定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片，经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
特点：