- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
- 关键字：
Vishay MOSFET FET
- 友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
- 关键字：
友达 FED FET
- 台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
- 关键字：
友达 FED FET
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
- 关键字：
GaAs 外延衬底 FET HBT
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器，该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合，可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器，与同类竞争产品相比，该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时，还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制，帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求，从而可实现整个负载范围内的高
- 关键字：
TI FET 转换器 TPS51315
- 2008年，受到全球半导体市场衰退的影响，中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长，但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新，知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式，集成电路布图设计登记应得到更多的关注。
最近，中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告，本期刊登部分节选，供业界研究参考。
本报告数据
- 关键字：
NEC MOS 集成电路布图设计
- 2009年1月22日，中国北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
- 关键字：
ADI 运算放大器 FET ADA4817
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
FET TI IC－bq2407x
- 美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。
一些Mac计算机网站指出，《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。
虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机，但是，他和他的团队研制的这种计算机
- 关键字：
PC 廉价 处理器 MOS 6502
- TPS54377 是一款输入电压为 3V ～6V 的 DC/DC 转换器，具有可将电压步降至 0.9V 的集成的 FET。其转换频率为同步频率并可调至 1.6MHz，以减少外部组件数量且有助于确定频谱噪声频带。该器件在整个温度范围内均可提供高达 3A 的输出电流并可支持 4A 的峰值输出电流。其具有电源状态良好指示、启动、可调慢启动、电流限制、热关断以及 1% 的参考精度等特性。TPS54377 可用于宽带、联网和通信基础设施、分布式电源系统以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 稳压。
- 关键字：
TI 转换器 DC/DC FET
- 0 引言
很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样，在更换维护插件板时，通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时，一般会产生很大的启动电流和电压波动，这些现象将影响设备的正常工作，甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时，插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗，此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件，或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。
所谓热插拔(Hot
- 关键字：
电路 热插拔 MOS 电源
- 当输入至输出的开销电压(overhead voltage)和/或充电电流较高时，线性电池充电器的功耗相当大。以一般的便携式DVD播放器(双节锂离子电池组、12V车载适配器、1.2A额定充电电流)为例，其线性充电器的平均功耗超过5W。 bq241xx系列开关充电器是对过热问题的简便解决方案。内置功率FET能够提供高达2A的充电电流。同步PWM控制器的工作频率为1.1MHz，输入电压最高可达18V，非常适用于由单节、双或三节电池组供电的系统。该系列开关充电器具有的高电压、高电流、高效率等优异特性，并且
- 关键字：
FET 锂离子开关充电器 电源
- 1 AB类功放驱动电路设计目标
在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放大器的线性度好，功率传递能力差，效率最大值为50%，导通角为360
- 关键字：
模拟技术 电源技术 驱动电 放大器 MOS
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 开关稳压器系列，支持广泛的工作输入电压，并且可以处理高达 100V 的瞬态尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的输入电压以及 1.21V 至 55V 的可编程输出电压；而 ISL8540 支持 9
- 关键字：
模拟技术 电源技术 Intersil FET 稳压器 电源
mos—fet介绍
您好，目前还没有人创建词条mos—fet!
欢迎您创建该词条，阐述对mos—fet的理解，并与今后在此搜索mos—fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
