2017年开年以来有这样一些事件进入我们的视线:①2月,IGBT等电力电子功率器件被列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》。②3月14日,捷捷微电上市,主营晶闸管等功率半导体器件的研发生产和销售。③5月,国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室验收中环股份“区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制”项目。④5月17日,国电南瑞公布非公开发行预案,募集配套中16.4亿元用于IGBT模块产业化项目。
一直以来,IGBT技术被国外半导体厂商垄断,截至2015年我国IGBT市
关键字：
IGBT 新能源汽车
本文介绍了风电变流器核心组成部分的单体变流器在机柜结构设计中空间狭小、工作环境恶劣等特点，本文进行了结构设计分析。主要内容包括：单体变流器的组成布局、功率器件维护、结构受力，以及可维护性等。
关键字：
风电变流器 IGBT 退火处理
IGBT驱动电路的作用： IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效电路及符合如图1所示,IGBT由栅极正负电压来控制。当加上正栅极电压时,管子导通;当加上负栅极电压时,管子关断。
IGBT具有和双极型电力晶体管类似的伏安特性,随着控制电压UGE的增加,特性曲线上移。开关电源中的IGBT通过UGE电平
关键字：
IGBT 功率器件
本文设计一种驱动供电电源，并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。
关键字：
IGBT 逆变器 汽车
本文重点研究了基于IGBT模块的电能质量类治理设备的能耗状况及节能路径。首先，对典型拓扑结构的SVG、APF、MEC在额定输出工况下的损耗特性进行了分析，确定了主要耗能部分;随后，分析了 IGBT模块能耗机理及降耗可行性路径;最后，总结出现阶段国内基于IGBT模块的电能质量类治理设备降低自身工作能耗的重点改进方向。
关键字：
电能质量 能耗 节能 IGBT APF SVG 201706
中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于最新的三电平拓扑光伏逆变器，以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驱动器方案。
关键字：
Power Integrations IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上
关键字：
IGBT
半导体分立器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)潜在市场巨大，在工业控制、汽车电子、新能源、智能电网应用市场广阔，而中国IC制造芯片厂也正积极寻求突破口，以成熟的工艺制程落地在地生产，提升国产IGBT芯片模块的自给率。
IGBT应用领域广泛，堪称现代功率变流装置的“心脏”和高端产业的“核芯”。从传统的电力、机械、矿冶，到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业，都有它的身影。
不过当前全球IGBT市场，仍被日、欧、美等IDM
关键字：
IGBT 芯片
为了应对补贴下降带来的影响，市场对光伏组件和光伏逆变器的成本降低的需求将加强。目前来看，1500V等更高电压的光伏组件将在成本降低方面将会很大程度上弥补支付补贴的下降。因此，随着市场的期待，诸如1500V等更高电压的光伏组件将会加快进入到市场的步伐。另外，光伏发电的效率和可靠性等要求也将相应提高，以提高光伏电站的产出，并降低光伏电站和光伏逆变器的维护成本。因此，新技术在光伏电站和光伏逆变器中的应用需求将不断加强，并且将促进光伏发电行业的良性竞争和健康发展。
关键字：
三菱电机 光伏逆变器 IGBT
英飞凌科技股份公司进一步壮大其62 mm 封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62 mm封装而得以实现。1200 V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)，1700 V阻断电压模块则适用于中压变频器。 1200 V阻断电压的62 mm模块的额定电流最高达到600A，1700 V
关键字：
英飞凌 IGBT
Alpha and Omega Semiconductor (AOS)为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供应商,AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET和电源管理IC(Power IC)产品系列。其在器件物理，工艺技术，电路设计及封装设计上拥有丰富的经验。通过将这些经验整合用于产品性能以及成本控制的优化，AOS在竞争中显示出自身的特色。AOS的产品线设计的目标是满足日益增长的高产量，高效能产品的应用需求，包括手提电脑、平板电视、
关键字：
e星球 IGBT
1月14日-15日，2017中国电动汽车百人会论坛在钓鱼台国宾馆举行，腾讯汽车作为战略合作媒体将进行全程直播。会上，英飞凌科技(中国)有限公司大中华区副总裁徐辉进行了主题演讲。
以下为发言实录：
大家早上好!首先非常开心今天能再次来到百人会的论坛，能分享英飞凌对整个行业发展的看法和观点。
今天在吴主任的领导下，演讲嘉宾分工比较明确，今天我想谈一谈半导体如何支持整个汽车行业创新。正好中车的丁总也把功率半导体IGBT这方面讲了，我更多从我们的角度出发，功能安全和信息安全正好分开了，不用重
关键字：
英飞凌 IGBT
我的汇报分三个部分。
首先简单介绍汽车功率半导体器件的发展趋势。
功率半导体器件最早都是由晶闸管后来变成GTO到MOSFET，到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比，主要是驱动比较简单，同时损耗比较小，比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的功率半导体器件，都被誉为传统系统，在高铁里一样，把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换，是电机控制系统的CPU。
目前电动汽车器件大概占到控制器总成本的30%左右
关键字：
IGBT 功率半导体
受益于新能源电动汽车、智能电网、轨道交通的快速发展，未来IGBT市场将迎来爆发。
关键字：
IGBT
传统工业如何乘着工业4.0的东风，加快智能制造装备发展、加快构建工业互联网基础、加强关键共性技术创新也成为现今的热点问题，这次世强举办研讨会，旨在帮助工程师了解工业4.0的相关器件产品、前沿技术方案，从而更好的解决其在创新时的问题。
关键字：
工业4.0 IGBT
igbt-ipm介绍
您好，目前还没有人创建词条igbt-ipm!
欢迎您创建该词条，阐述对igbt-ipm的理解，并与今后在此搜索igbt-ipm的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473