- 汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
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SiC GaN
- 相较于过去所使用的硅晶体管，氮化镓(GaN)能够让新的电源应用在同等电压条件下，以更高的切换频率运作。 这代表在相同条件下，GaN能够较以硅为基础的解决方案实现更高的效率。
电源供应设计
德州仪器(TI)的LMG5200全整合式原型，让工程师能够轻松地将GaN技术设计至电源解决方案中，进而超越传统上功率密度限制。 基于数十年的电源测试专业经验，TI针对GaN进行了数百万小时的加速测试，并建立了能够实现基于GaN电源设计的生态系统。
GaN将在功率密集的应用中大展身手，它能够在保持或提
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德州仪器 GaN
- 虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
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SiC GaN
- 2017电源市场需求和技术趋势风向如何?来e星球，与超六万的专业人士一起把握潮流! 需求往往是推动创新的源泉，无论是时尚、金融亦或是我们熟悉的电源领域都存在这样的现象。抓住了用户需求，潜在的创新动力才会被激发，也只有适应需求的创新才是最具生命周期的。2017年电源需求在哪?创新着力点在哪?带着疑问与期盼请来亚洲第一大电子展——2017年慕尼黑上海电子展一探究竟吧!3月14日-16日将有超过6万多名的专业观众以及众多的国内外领先电源厂商集聚上海新国际博览中心，深度探讨2017年中国电源市场需求与走势，
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SiC GaN
- 引言 太阳能不再是一项新兴技术，而是正在经历重大技术变革的技术，日趋成熟。我们朝着电网平价(太阳能成本与传统能源发电类型的成本相当)，并且改进传统能源发电类型构成的目标前进，因为将面板中的直流电转换为可用交流电的过程变得更加高效且经济实惠。 但是，虽然太阳能面板在近几年价格显著降低，但下一波太阳能发展浪潮将由功率转换器系统的新技术推动。先进复杂的多级功率开关拓扑的兴起将基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料，加上更高的工作电压(最高1600 VDC)，实现更加快速的功率开关，与传统系
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光伏逆变器 GaN
- 日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半
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GaN MOSFET
- 通信、汽车驱动市场增长，国有品牌竞争力提升
市场规模继续扩大，增速较2015年有所回升
2016年，中国电子信息制造业生产总体平稳，增速有所加快，受此影响，中国功率器件市场规模持续扩大，市场规模预计达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。
通信、汽车成为2016年市场增长亮点
从下游应用产品的需求来看，通信和汽车领域是推动功率器件市场增长的主要驱动力。
从通信主要产品产量来看，1-10月，我国生产手机17亿部，同比增长19.9%，其中智能手机12
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功率器件 GaN
- 在我国绿色能源产业发展的推动下，功率半导体已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行创新驱动发展战略的重要支撑。
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功率半导体 GaN
- 如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。
然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色
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功率半导体 GaN
- 充电和电池管理对智能手机来说，仍是关键的功能，未来多年将持续有创新。有线和无线充电的改进可能大大扩展便携式产品的使用，我们不断提升此功能的极限。充电系统要求供电产品(如壁式适配器)或无线充电发射器和接收器(如智能手机和平板电脑)的设计都具高能效。安森美半导体专注于这两大应用，提供完整、优化和高能效的充电方案，以满足所有这些产品的功率要求。 市场对于更快充电时间、更大电池容量和更小适配器的要求，把智能手机和平板电脑的供电能力推到传统半导体器件不可行的地步。新一代系统将需要氮化镓(GaN)方案取代传统M
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安森美 GaN
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在无线基站中的应用 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军中功率市场。
可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。
台达电技术长暨总
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SiC GaN
gan 介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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