- DRAM报价直逼历史低价，在DRAM产业笼罩一片低气压时，瑞晶的制程转进速度仍是一马当先，原本预定2011年底前旗下所有产能都全数转进30纳米制程，日前目标已提前达阵，但因母公司尔必达(Elpida)应部分客户需要40纳米制程产品，因此保留2万片产能在40纳米，在制程转进成功后，预计成本可进一步下滑，虽然相较于目前DRAM报价仍是亏钱，但仍是台厂中竞争力最强的业者。
瑞晶一向是台系DRAM厂中制程转换速度最快的业者，旗下8万片12寸晶圆厂领先在2011年转进40纳米制程，日前又在30纳米制程上抢
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瑞晶 30纳米
- 海力士半导体发言人Park Seong Ae周四表示，公司将从明年第一季度开始量产30纳米芯片。
这一表态证实了韩国网络新闻媒体edaily此前的相关报道。
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海力士 30纳米
- 昨日，内地最大集成电路制造商中芯国际，与东湖开发区正式联姻。中芯国际将注资45亿美元，助光谷打造国内最大高端芯片生产基地。
中芯国际是内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。早在2006年，中芯国际就开始
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中芯国际 芯片 30纳米
- 虽然在经济前景不明的情况下，半导体产业景气亦受到连带影响，不过全球排名第2的半导体大厂海力士(Hynix)仍计划对转进30纳米制程持续加码，以增加和三星电子(Samsung Electronics)、日本尔必达(Elpida)等大厂竞争的优势。
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海力士 DRAM 30纳米
- 据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线宽仅略大于30纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。
报道称呢个，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。
尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子
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- 日刊工业新闻报导，由于扩展应用范围及降低成本不易，尔必达(Elpida)计划停止研发相位变化随机存取存储器 (PRAM)。
尔必达监于30纳米技术已是DRAM产品细微化的技术极限，遂转而研发PRAM，甚至已送样容量为128MB的产品，然尔必达社长本幸雄认为PRAM成本很难降到比Flash低，且应用范围难以扩大，故决定停止研发该产品。日后研发重心将转至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技术。
尔必达于2009年内已开始量产40纳米技术DRAM产品，紧接著将朝
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- 电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。
该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。
三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。
该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。
ETnews报称，芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术，比如采用40纳米制程生产DRAM和
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三星 DRAM 30纳米 NAND
- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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- 据外电报道，NAND Flash(闪存)制造厂制程技术持续不断推进，集邦科技表示，各Flash制造厂自今年第四季起将陆续转进30纳米制程技术。
根据美光预估，今年全球NAND Flash市场可望增长至254亿美元规模，除了目前一般数字影音播放器、UFD(通用串行总线闪存储存驱动器)、记忆卡等应用外，也相当看好移动储存市场的发展潜力。
为降低生产成本，强化竞争力，NAND Flash制造厂持续不断进行制程技术微缩，其中IM Flash阵营已宣示，34纳米制程技术将于今年第四季投产。韩国三星电
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闪存 NAND Flash 移动储存 30纳米
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