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飞兆 文章

飞兆推出最新一代点火IGBT器件

  • 为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求,汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出了在较小的占位面积下具有更低功耗的最新一代点火IGBT器件。EcoSPARK® 2、FGD3040G2和FDG3440G2点火线圈驱动器可将VSAT降低多达20%,而不会显著降低自箝位感性负载开关(Self Clamping Inductive Switching, SCIS) 的能量。这项优化特性减低了功耗和
  • 关键字: 飞兆  火线圈  驱动器  

飞兆在中国荣获声名卓著的电源产品创新大奖

  • 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 在中国主要的电子设计媒体《电子产品世界》杂志主办的电源技术及产品奖中,赢得年度创新产品奖。
  • 关键字: 飞兆  电源  FL7701  

飞兆新近扩展重启定时器产品系列

  • 随着技术的发展,消费者越来越多地利用便携设备处理业务和私人事务。由于这些便携设备中构建了众多的基础架构系统,拥有能够快速解决系统锁死的简单方案是至关重要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)新近扩展重启定时器产品系列,能够为便携设备锁死问题提供更好的解决方案。
  • 关键字: 飞兆  器件  重启定时器  

飞兆开发出P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  P沟道  

飞兆推出一款低侧高双功率芯片非对称N沟道模块

  • 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能,电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  FDPC8011S  N沟道  

飞兆推出一款电流栅极驱动光耦合器产品

  • 太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及马达驱动等大功率工业应用需要能够处理690VAC以上电网电压和高于1000 VDC恒定直流电压的栅极驱动光耦合器。为了达到这个目标,爬电距离和间隙距离至少要达到10mm。同样地,恶劣环境逆变器(Harsh Environment Inverter, HEI)等应用在690VAC电网条件下甚至要求更大的爬电距离和间隙距离。为了帮助设计人员应对这一挑战,飞兆半导体开发了一款先进的2.5A输出电流栅极驱动光耦合器产品FOD8320。
  • 关键字: 飞兆  封装  FOD8320  

Power Integrations被裁定侵犯飞兆专利权其提出新专利诉讼

  • 在美国地区法院陪审团裁定关于Power Integrations侵犯飞兆半导体有关初级端调节技术的美国专利的指控成立后数天,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor,简称“飞兆半导体”) 在美国时间5月1 日提出新的针对Power Integrations公司的美国专利侵权诉讼。
  • 关键字: 飞兆  半导体  

飞兆半导体开发出一款智能高侧开关系列

  • 在现今的汽车应用中,设计人员需要把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载,这类应用包括:白炽灯、电机控制和加热器件等。现在要实现这一目的,设计人员不得不依赖分立式或机电式解决方案,或是受制于市场上数量有限的解决方案。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  F085A  

飞兆与包尔英特的专利之争:初步裁定结果

  •   飞兆半导体周五宣布,一个联邦陪审团裁定包尔英特侵犯了其一项美国专利,而飞兆半导体则侵犯了包尔英特的两项专利权。   美国特拉华州地方法院的联邦陪审团裁定包尔英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列产品侵犯了专利号为7259972的专利权,而飞兆的相关控诉都属实;同时飞兆的脉冲宽度调制(PWM)控制器也侵犯了包尔英特的两项专利权,但有关包尔英特指控的另外两项专利侵犯并不属实。   飞兆半导体表示已经引进了下一代技术来代替PWM控制器,对于那些与PWM技术相关的产品,公司也会与
  • 关键字: 飞兆  PWM  

飞兆荣获王氏港建科技颁发供应商奖项

  • 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布荣获王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 颁发供应商奖。王氏港建科技是总部位于香港的全球性电子制造服务(EMS)企业,而飞兆半导体一直为该公司提供品种繁多的产品。这个奖项是对飞兆半导体包括在交付时间表、客户服务和设计支持方面等各项出色服务的认可。
  • 关键字: 飞兆  半导体  

飞兆为设计人员带来最佳功率密度并节省线路板空间

  • 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下,电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。
  • 关键字: 飞兆  线路板  FDMC8010  

飞兆开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块系列

  • 新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。
  • 关键字: 飞兆  芯片  FDMF68xx  

飞兆开发出FAB2210音频子系统

  • 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出带有立体声Class-G耳机放大器和Class-D扬声器放大器的FAB2210音频子系统,助力智能手机和便携媒体播放器等移动产品的设计人员实现更好音质。
  • 关键字: 飞兆  扬声器  FAB2210  

飞兆半导体开发出增强型CLASS-D音频放大器

  • 消费者对响亮清晰的扬声器音频的要求,推动了对于更长电池使用时间和高效率的需求,这成为设计人员在便携产品设计中实现“让小型扬声器更响亮清晰”的目标时所面对的两项挑战。
  • 关键字: 飞兆  音频放大器  FAB3103  

飞兆与英飞凌就创新型汽车无铅封装技术达成协议

  • 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。
  • 关键字: 飞兆  英飞凌  MOSFET  
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飞兆介绍

Fairchild Semiconductor is a leading global provider of semiconductor technology that powers the products we use and makes them more energy efficient. Fairchild continues to build on its rich history [ 查看详细 ]

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