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飞兆 文章 进入飞兆技术社区

飞兆半导体获思科公司颁发卓越供应商客户团队服务奖

  •   飞兆半导体荣获思科公司(Cisco) 授予“2007年卓越供应商客户团队服务奖”,该奖项是思科公司在第十六届年度供应商致谢活动上颁发的,授予那些为该公司整个机构和地区办事处提供积极主动、品质一致的支持服务的最佳供应商。   思科公司全球供应商管理总监 Todd Myers 称:“我们的卓越供应商奖项是专为表彰那些一直以来满足甚至超越我们期望、从而为我们客户提供益处的企业而举办的。飞兆半导体为积极主动的客户管理服务奠定了标准,定期为我们提供创新性的解决方案,以提升我们供应链的表现。”   飞兆半导体
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飞兆推出高电压栅极驱动IC产品FAN7371

  •       飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出新的高电压栅极驱动IC(HVIC)产品FAN7371,具有4A电流驱动能力,可在消费电子和工业应用中实现出色的系统可靠性及节省电路板空间的优势。FAN7371备有宽泛的高边驱动工作电压,负VS摆幅高达-9.8V(在VBS=15V下),以及稳健的正和负VB及创新的共模dv/dt噪声消除电路,从而提供卓越的抗噪性并提高系统可靠性。较之于以光耦或脉冲变压器为基础的解决方案,这种HVIC
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飞兆推电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS

  • 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS,可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻,从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能,能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻,成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技术设计,提供了高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩减到能够装入D-Pak封装中而不会影响性能。   &n
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飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列

  • 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的PowerTrench工艺,这些低导通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下
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飞兆推出单比特位双向电压转换器

  • 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出业界唯一保证工作电压范围在3.6V至1.1V的单比特位双向电压转换器FXLH1T45,可简化超便携式、计算、通信和工业应用的设计。这款单比特位双向电压转换器可在多个电压级之间提供单向和双向电压转换,从而实现在不同电压级工作的处理器与电子子系统之间的无缝连接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的电压,非常适合超便携式应用的低功耗要求。  FXLH1T45采用飞兆半导体的超紧凑 (1.0
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飞兆推出业界最小的DrMOS FET加驱动器多芯片模块

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面优化的集成式FET加驱动器功率级解决方案FDMF6700,采用超紧凑型6mm x 6mm MLP封装。对于空间极度受约束的应用,比如小外形尺寸的台式电脑、媒体中心PC、超密集服务器、刀片服务器、先进的游戏系统、图形卡、网络和电信设备,以及其它电路板空间有限的DC-DC应用,FDMF6700为设计人员提供别具吸引力的解决方案。   在个人电脑主板中,典型的降压转换器在每个相位可能包含:采用DPAK封装的三个N沟道MOSFE
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飞兆推出最高集成度“系统级封装”镇流器 IC

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出专为紧凑型荧光灯 (CFL) 设计而开发、市面上集成度最高的镇流器IC产品FAN7710。采用“系统级封装”方案,FAN7710能在优化性能的同时简化设计并克服了CFL照明应用中面对空间受限的问题。   FAN7710在超紧凑型8-DIP封装中整合了一个625V高端栅极驱动器电路、两个550V MOSFET、一个频率控制电路和一个并联稳压器,并且加入了有源ZVS控制和开灯检测功能。作为同类解决方案中集成度最高的器件,FAN771
  • 关键字: 电源技术  飞兆  模拟技术  镇流器  封装  

飞兆推出绿色FPSTM e-SeriesTM系列功率开关

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出绿色FPS e-Series 的全新飞兆功率开关(FPS) 产品系列,可为DVD播放器、机顶盒、LCD显示器和其它25W及更低的电源设计提供高能效和高系统可靠性。这些绿色FPS产品以飞兆半导体专有的谷底导通(valley switching) 技术为基础,与传统的硬开关转换器拓扑相比,能够提高功率转换效率1%,并降低EMI的量可达5dB。这些高度集成的FPS器件结合了完全达到额定雪崩值SenseFET、电流模式脉冲宽度调制 (PW
  • 关键字: e-SeriesTM  FPSTM  电源技术  飞兆  功率开关  模拟技术  

美国飞兆以侵害专利为由起诉台湾AOS

  • 美国飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 以其专利权受到侵害为由,起诉了台湾Alpha & Omega Semiconductor(以下简称AOS)。飞兆半导体表示,AOS的功率晶体管产品至少侵犯了其持有的4项美国专利。该公司遭侵权的美国专利号分别为“6429481”“6521497”“6710406”及“6828195”。美国飞兆要求赔偿损失,并停止AOS产品向美国的进口和销售。  飞兆半导体从2005年起便
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飞兆公司互补型40V MOSFET优化逆变器设计

  • 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出互补型40VMOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。  FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(BLU)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC(SO8)封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外,FDD84
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飞兆第二代视频开关阵列FMS6502适用HDTV

  • 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出8输入、6输出视频开关阵列FMS6502,具备业界领先的成本效益和节省空间特性,适用于消费和工业视频应用领域如车内娱乐系统、HDTV、平板显示屏和A/V接收器等。FMS6502比较同等的交叉点视频开关阵列提供更多的功能,并在单一器件中集成了模拟开关能力、输入钳位、偏置电路和线缆驱动器。FMS6502所占用的线路板空间约为分立式解决方案的一半,因此能大幅减少元件数目,同时简化设计。飞兆半导体第二代的视频开关阵列FMS6502提供的集成度与
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飞兆半导体推出无须外接电阻的数字晶体管

  • 飞兆半导体推出无须外接电阻的高集成度数字晶体管,这两种全新的200mW数字晶体管系列FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做,在极小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络,因此无须外接电阻。这种高集成度减少了元件数目,有助于设计人员节省板空间、降低设计成本、简化电路设计并使到系统性能最大化。此外,线路板空间因采用了表面贴装技术(SMT)进一步得以优化。这些晶体管备有超小超薄(1.7mmx0.98mmx0.78mm)的SOT523F封装,比较采用SOT523封
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飞兆推出 200V/250V的PowerTrench工艺MOSFET

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench® 工艺技术,这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧;FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低
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飞兆半导体信号产品亚太区实习生招聘

  •     简单介绍飞兆半导体信号产品亚太区Revenue年持续保持50%以上增长,平均Margin 60%,是公司的标竿部门。信号产品亚太区负责整个亚太地区信号产品的产品应用,新产品定义,技术培训,技术共享,芯片开发及市场战略和营销驱动。目前招聘的实习生将在我们在上海人民广场的高速信号实验室服务,该实验室现有价值400万人民币的信号测试仪器。工作内容:为信号产品定制测试板,支援HDMI,USB,ESD等兼容测试。 要求:工科院校电子系或自动化系研二学生,电子基础扎实,有项目经验。工
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飞兆半导体推出光隔离 MOSFET 栅极驱动器

  •    飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品,能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间,能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流,毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC转换器,以
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