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EEPW首页 >> 主题列表 >> 隔离栅双极性晶体管(igbt)

隔离栅双极性晶体管(igbt) 文章

基于IPD Protect的2.1 kW电磁感应加热设计

  • 电磁感应加热在小家电市场(如电饭煲,油炸锅和牛奶泡沫器等)已经得到广泛应用,减小系统尺寸,降低系统成本和提高可靠性是越来越多客户的需求。本文设计了一款2.1 kW电磁感应加热平台。搭载了英飞凌自带保护IPD Protect,XMC单片机和CoolSET PWM控制器辅助电源。电路拓扑采用单端并联谐振电路,最大输出功率2.1 kW,实现了IPD Protect的快速过流保护,过压保护,过温报警和保护,输入电压欠压保护和低静态电流等功能,其中IPD protect过压和过流保护点可以根据系统要求来调节。同时,
  • 关键字: 感应加热  IPD Protect  IGBT  小家电  TRENCHSTOP  

电动车用大功率 IGBT 模块测试解决方案

  • 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等,是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多,按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类,其中功率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大,是最主要的品类。根据iHS预测,MOSFET和IGBT将是2020-2025年增长最强劲的半导体功率器件。增长的市场空间被行业专家拆解成两个方面:折旧带来的替换市场以及电气化程度加深带来的新增市场。既然新增市场源于电气化程度的加深,那
  • 关键字: IT6862A  IT6015D-80-450  电动车用大功率 IGBT 模块测试  

科索为中型机器人控制器和工厂自动化提供三路隔离输出300W的电源解决方案

  • 科索有限责任公司近日宣布扩大其为中型机器人和工厂自动化设计的RB系列,增加一款300W的版本。RBC300F是一种开放式框架,可配置AC/DC电源,具有三路输出,专门为机器人控制器和工厂自动化定制。基于一个独特的概念,科索RBC300F系列提供三个可配置隔离输出,其中一个具有增强隔离给智能栅双极型晶体管(IGBT)或等效应用供电。RBC300F通过EN62477-1过电压类别(OVC)Ⅲ认证,当连接到配电板时,通过减少额外的隔离变压器,RBC300F电源简化了系统架构师的设计过程,同时降低了成本。RBC3
  • 关键字: OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  对流冷却设计  

推动更快、更安全、更高效EV充电器的技术

  • 随着电动汽车(EV)数量的增加,对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长,如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比,新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量,因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80%,行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准, 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天,我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
  • 关键字: EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

GaN 器件的直接驱动配置

  • 受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容(Ciss、Coss、Crss)和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器(PFC)等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗,MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳
  • 关键字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域

  • 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
  • 关键字: MOSFET  TIM  IGBT  

一种电动汽车能量回馈下IGBT保护策略优化及验证

  •   舒 晖(奇瑞新能源汽车股份有限公司,安徽 芜湖 241002)  摘 要:针对电动汽车在能量回馈时,动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下,提出了一种IGBT保护策略优化方案,快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压,触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值,最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明,优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压,触发保护机制,停止IGBT工作,降低IGBT模块损坏的风险。  关键词:电动汽车;能量回馈;IGBT  0 引言  传统汽车
  • 关键字: 202007  电动汽车  能量回馈  IGBT  

新基建驱动电力电源变革,ST祭出一揽子解决方案

  • 我国正在大力进行新基建,工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时,SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起,奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件?近日,ST(意法半导体)亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访,分享了对工业市场的预测,并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
  • 关键字: 电源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

  • 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
  • 关键字: MOSEFT  FWD  ST  IGBT  

东芝推出600V小型智能功率器件,助力降低电机功率损耗

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件(IPD)。该器件采用小型表面贴装封装,设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。TPD4162F采用新工艺制造,与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机,无需PWM控制
  • 关键字: IPD  IGBT  IC  

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
  • 关键字: IGBT  MOSEFT  

Power Integrations出炉简单易用的SCALE-2即插即用型门极驱动器,适用于压接式IGBT模块

  • 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器,新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成,非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护
  • 关键字: 门极驱动器  IGBT  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  (安森美半导体 工业业务拓展经理)摘  要:电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机;工业电机需要更高能效的电机,同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词:电机;电动工具;MOSFET;工业;IGBT;IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列,尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋,并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 (例如电动工具),
  • 关键字: 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 开足马力促生产——华虹二厂投入再创新高

  • 基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求,特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用,华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高,光刻层数达到了48万!生产线在年度动力检修后已满负荷运行,在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩!
  • 关键字: 半导体  IGBT  SJ  华虹  

关于半桥电路中抗dv/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

  •   王定良(电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054)  摘  要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。  关键词:IGBT;
  • 关键字: 202002  IGBT  误触发  dV/dt  可靠性  
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隔离栅双极性晶体管(igbt)介绍

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