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EEPW首页 >> 主题列表 >> 隔离栅双极性晶体管(igbt)

隔离栅双极性晶体管(igbt) 文章 进入隔离栅双极性晶体管(igbt)技术社区

IGBT模块是如何失效的?

  • IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成,个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中,单个IGBT还会并有续流二极管,接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶,用塑料壳封装。1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成,个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中,单个IGBT还会并有续流二极管,接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶,用塑料壳封装,IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。从上之下它依次由芯片,DBC(Directed Bonding Copper)以及金属散热板(
  • 关键字: IGBT  

相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能?

  • 随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动,传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组,成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势,因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行,同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低,需要管理的热耗散较少,还有利于使
  • 关键字: 安森美  IGBT  SiC  

Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器

  • 德国纽伦堡,PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块,例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2,以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。SCALE-iFlex LT NTC驱动器可提供负温度系数
  • 关键字: Power Integrations  IGBT  SiC模块  门极驱动器  

快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT

  • 紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在,由于家用电器消耗的能量不断增加,从事此类应用的工程师还有一个目标:保持高功率因数(PF)。特别是空调,其额定功率为1.8kW或更大,是最耗电的设备之一。在这里,功率因数校正(PFC)是强制性的,对于PFC,设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在,由于家用电器消耗的能量不断增加,从事此类应用的工程师还有一个目标:保持高功率因数(PF)
  • 关键字: 快速开关  IGBT  

功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考

  • 4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行,第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼,以应对人员的增加。此外,今年2月下旬,日经亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息,东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节,布局完成后将形成:外延设备+外
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  MOSFET  SIC  

赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT功率模块

  • 赛米控丹佛斯(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发SiC(碳化硅)功率模块方面,已有十多年的良好合作关系。此次,赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中,采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,双方将继续保持紧密合作,全力响应全球电机驱动用户的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左) 赛米控丹佛斯 CEO Claus A.  
  • 关键字: 赛米控丹佛斯  罗姆  1200V  IGBT  功率模块  

“一芯难求”?IGBT 凭啥这么抢手?

  • 今天要聊的这个或许不仅是“供不应求”,在媒体报道中更被称为是“一芯难求”!用报道的话来说,“不是价格多高的问题,而是根本买不到”。TA就是简称为“IGBT”的绝缘栅双极型晶体管。听到“一芯难求”,聪明的你应该就能get到其中的投资机会,IGBT究竟为啥这么抢手?咱们又能从中找到哪些投资良机呢?01 什么是IGBT?作为新能源领域的“新晋红人”,IGBT是能源变换与传输的核心器件,可以简单理解为一种功率开关元件。心脏的作用大家都知道吧?在心脏泵的作用下,心脏把血液推动到身体的各个器官,为身体补充充足的血液和
  • 关键字: IGBT  

设备厂商订单量大增;4个IGBT项目开工

  • 2022年,尽管全球半导体产业局势复杂,但中国本土半导体似乎依然保持着朝阳势头,发展火热。尤其是半导体设备厂商,在国产化浪潮进一步驱动下,去年大部分国产设备厂商在营收及订单方面表现出了强劲的增长态势。2023年以来,至纯科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度报告。其中,2022年度,至纯科技实现营业收入30.5亿元,同比增长46.32%,新增订单42.19亿元,同比增长30.62%;;中微公司实现营收47.4亿元,同比增长52.5%,新签订单金额约63.2亿元,同比增加约53%;盛美上海实现
  • 关键字: 设备厂商  IGBT  

高电压技术是构建更可持续未来的关键

  • 随着世界各地的电力消耗持续增长,高电压技术领域的创新让设计工程师能够开发出更高效的解决方案,使电气化和可再生能源技术更易于使用。 “随着人均用电量的持续增长,可持续能源变得越来越重要,”TI 副总裁及高电压产品部总经理 Kannan Soundarapandian 表示。“以负责的方式管理能源使用非常重要。我们不能浪费任何一毫焦1的能量。这就是为什么高电压技术的创新是实现能源可持续的关键。” 随着电力需求的增加(在 2 秒内将电动汽车 (EV) 从 0mph加速到 60mph 
  • 关键字: 高电压技术  电动汽车  GaN  IGBT  

车用/工用等IGBT供不应求,缺货问题至少在2024年中前难以解决?

  • 随着车用、工业应用所需用量大增,IGBT市场陷入供不应求,此前有消息指出,部分厂商IGBT产线代工价上涨10%。而根据行业媒体的最新消息,IGBT缺货问题至少在2024年中前难以解决。导致IGBT缺货、涨价的原因主要有四点:其一,需求旺盛,车用、工业应用所需IGBT用量大增;其二,供给不足,产能扩增缓慢;其三,客户认证需要时间;其四,特斯拉大砍75%碳化硅用量,IGBT为潜在替代方案。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品,具有高频、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为电力电子装置的“C
  • 关键字: IGBT  缺货问题  

SiC功率半导体市场分析;厂商谈IGBT大缺货

  • 根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。与此同时,受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
  • 关键字: SiC  功率半导体  IGBT  美光  

安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用于能源基础设施应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、储能和电动汽车充电电源转换。新的1200V沟槽型场截止(FS7)IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压,及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率,从而减少磁性元件的尺寸,提高功率密度
  • 关键字: 安森美  IGBT FS7  

厂商谈IGBT大缺货:根本买不到!

  • 当下半导体周期下行,半导体产业链多细分领域均明显迈入到库存调整周期。然而,在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)近期出现较大程度缺货,不仅价格连涨,业界更以“不是价格多高的问题,而是根本买不到”来形容缺货盛况。01IGBT供不应求,代工价格喊涨自2020年汽车缺芯以来,汽车芯片结构性缺芯愈发明显,IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年,其甚至超越车用MCU,成为影响汽车扩产的最大掣肘。今年年初媒体消息显示,汉磊集团于年初调涨IGBT产线代工价一成左右。据悉,汉
  • 关键字: IGBT  缺货  

安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场

  • 2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用于能源基础设施应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、储能和电动汽车充电电源转换。新的1200V沟槽型场截止(FS7)IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压,及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗
  • 关键字: 安森美  IGBT FS7开关  

吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片

  • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。吉利科技集团消息显示,该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和FS结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗,功率密度增大约35%,综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定,采用工艺共创方式持续提升芯片性能。据悉,晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新,发挥“芯片设计+模块制
  • 关键字: 吉利科技  晶能  车规级  IGBT  
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隔离栅双极性晶体管(igbt)介绍

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