DDR2 SDRAM介绍及其基于MPC8548 CPU的硬件设计(08-100)

　　DDR2 SDRAM接口的信号线分为4组，以下以MPC8548命名方式为准，命名和DDR2 SDRAM芯片资料的区别在于信号名之前多一个字母”M”【7】：

　　1) 数据组：MDQS/MDQS#[8:0], MDM[8:0], MDQ[63:0], MECC[7:0]

　　2) 地址组：MBA[2:0], MA[15:0], MRAS#, MCAS#, MWE#

　　3) 命令组：MCS#[3:0], MCKE[3:0], MODT[3:0]

　　4) 时钟组：MCK/MCK#[5:0]

　　PCB设计时，建议布线顺序依次为：数据组，地址组，控制组，时钟组，电源。

　　对于单端信号线，阻抗控制在50～60欧姆内。对于差分信号线，阻抗控制在100～120欧姆内。

　　如果使能了ODT功能，数据组无需外部匹配电阻，走线直接从MPC8548连接到内存条即可。而地址组和命令组需要在内存条末端利用外部电阻RTT上拉到VTT电平实现匹配，电阻值需要经过仿真确定。如图6，考虑到最佳的信号完整性，RTT应该放在内存条之后，即地址/命令组信号走线从MPC8548出来，应该先到内存条的引脚，然后再走到RTT电源平面实现终端匹配。对于时钟组，一般而言，内存条上都包含了100～120欧姆的差分终端电阻，所以在PCB上无需外加匹配。

　　图6 MPC8548和DDR2 SDRAM内存条硬件接口设计

　　由于本设计采用8位的DDR2 SDRAM芯片，因此，对数据组可以分为9个小组：MDQS/MDQS#[0],MDQ[7:0],MDM0为第一组;MDQS/MDQS#[1], MDQ[15:8],MDM1为第二组;依次类推;MDQS/MDQS#[8],MECC[7:0],MDM8为第九组。对这九小组数据线，要求各小组之内，走线在同一层并拥有相同数目的过孔，走线长度差异控制在20mil之内，所有的信号线走线必须以完整的地层作为参考。不同小组之间，走线长度差异控制在500mil之内。对每一小组，小组内的8根MDQS信号线的线序可以根据走线方便的目的进行调整。需要注意，在本设计中，采用的内存条上的存储芯片是8位的(即内存条上每片DDR SDRAM芯片有8根DQ数据线)，因此每8位MDQ信号归为一个小组，市场上还有许多4位，16位的内存条，如果需要兼容这些内存条，硬件设计中需要注意应该以每4位MDQ信号归为一个小组。数据组的信号线和其他组的信号线间距要求在25mil以上，数据组内信号线间距要求在10mil以上。对于差分的MDQS和MDQS#信号，走线长度差异应该控制在10mil之内。

　　对地址/命令组，该组内信号线长度差异应控制在100mil之内。走线以1.8V电源平面或完整的地层作为参考层。走线和其他组的信号线间距保证在25mil以上。该组内信号线间距保证在10mil以上。

　　对时钟组，差分信号对内走线长度差异控制在10mil内，尽量在同一层内走线，如果需要换层，两根差分信号应该一起换层。与其他组的信号间距在25mil以上。在MPC8548一侧，一共提供了6对相位相同的时钟对，即MCK/MCK#[5:0]，其目的是为了兼容内存条设计和分立的内存芯片设计。例如在本设计中，如果选用分立的8位存储芯片，一共需要9片，如果MPC8548只提供一对时钟对，其驱动能力显然无以满足9片存储芯片，因此需要由MPC8548提供更多的时钟对输出。如果选用内存条，需要根据内存条的不同种类来决定需要使用多少对时钟对。根据对MCK/MCK#信号是否提供驱动，内存条可以分为Buffered DIMM(缓冲驱动式内存条)和Unbuffered DIMM (非缓冲驱动式内存条)，对于前者而言，由于MCK/MCK#在内存条上需要经过缓冲再送到DDR2 SDRAM芯片，即在内存条上利用缓冲器(通常是带锁相环的缓冲器)保证了该信号的驱动能力，所以只需要MPC8548提供一对时钟对(例如MCK/ MCK#[0])送到内存条即可。对于后者而言，内存条上不提供对时钟对的驱动，通过计算可以知道从MPC8548提供的每对时钟对，能可靠驱动3个DDR2 SDRAM芯片作为负载。因此需要使用MPC8548输出的3对时钟对以驱动内存条上的9片DDR2 SDRAM芯片。对于没有使用到的时钟对，可以通过配置MPC8548的内部寄存器DDRCLKDR进行关闭。

　　在电源设计方面，需要仔细计算VTT电源发生器及其电源平面是否能满足设计所需要的功耗;需要仔细对VTT, VDDQ, VREF进行去耦滤波;VTT电源平面应该和内存条紧紧相邻;VREF走线宽度建议为20～25mil并和同层的其他电源或信号有至少20mil的间距，VREF必须能跟随VDDQ的变化，建议VREF通过电阻分压网络从VDDQ直接得到，分压电阻精度要求为1%;

　　设计时，还需要仔细考虑信号时序的要求。数据组信号的时序需要参考本小组的MDQS/MDQS#信号，并利用这对差分对的交叉点采样;地址和命令组信号的时序需要参考对应的时钟组信号，并利用其上升沿采样。对于DDR2 SDRAM，建立时间和保持时间需要考虑由于信号边沿不单调造成的时序降额，计算公式如下：

　　tSETUP = tSETUP(base) + tSETUP(derating)

　　tHOLD = tHOLD(base) + tHOLD(derating)

　　其中，tSETUP和tHOLD是总的建立时间和保持时间要求;tSETUP(base)和tHOLD(base)是从芯片文档能直接得到的建立时间和保持时间的基本要求;tSETUP(derating)和tHOLD(derating)是根据信号及其参考时钟的真实爬升速率查表得出的降额值，该表格可以从芯片文档得到。

　　这种查表计算降额值的方法，将造成很大的工作量。在实际设计中，一般是利用Hyperlynx等仿真软件直接得到降额值，从而确定信号的时序裕量。特别需要注意的是地址组，由于地址组信号的负载数目一般都比相应的时钟信号多，因此需考虑负载对时序造成的影响。

　　结语

　　存储芯片在电子产品中扮演着重要的角色，其性能的高低直接决定着产品的性能。相比DDR SDRAM，DDR2 SDRAM在多方面进行了技术提升，其必将在电子产品市场中发挥越来越重要的作用。