DDR2 SDRAM介绍及其基于MPC8548 CPU的硬件设计(08-100)

　　ODT终端电阻值RTT可以通过DDR2 SDRAM内部的EMR寄存器来设定：首先配置EMR[15:14]=01来选定该寄存器工作于EMR(扩展模式寄存器)模式，然后通过EMR[6]和EMR[2]两位来设置内部RTT的值，允许选择为RTT关闭，75欧姆，150欧姆，50欧姆这四种模式。以选择75欧姆这种模式为例，图1中，DQ引脚内部的上拉电阻和下拉电阻将配置为150欧姆。

　　需要注意，DDR2 SDRAM的ODT技术，只是对DQ,DQS,DM这些信号(在选择了差分DQS的情况下，也包括DQS#信号)实现了内部匹配。而地址和控制信号等仍需要通过外部匹配。

　　* Posted CAS

　　以读DDR2 SDRAM为例。

　　图2 多块数据读取时的间隙问题

　　DDR2 SDRAM和DDR SDRAM一样，是通过Bank(块地址),Row(行地址)和Column(列地址)三者结合实现寻址。每一次对DDR2 SDRAM的操作，都以ACTIVE命令(图2的ACT命令，通过有效#RAS信号实现)开始，在发出该命令的同时，通过地址信号线发出本次操作的Bank和Row地址，此后等待tRCD时间后，发起READ/AUTO PRECHARGE命令(图2 的RD AP命令，通过有效#CAS信号实现)，该命令的作用是发出读取命令，同时通过地址信号线发出本次操作的Column地址。最后，等待CAS Latency时间之后，数据即通过数据总线输出。

　　由于DDR2 SDRAM的存储空间相对DDR SDRAM有所增加，因此Bank数目也有所增加。例如，DDR SDRAM单片最大容量为1Gbit，Bank数目是4，而DDR2 SDRAM单片最大容量为2Gbit，Bank数目达到了8。DDR SDRAM的Bank数目最少是2，而DDR2 SDRAM的Bank数目最少是4。为了提高性能，经常需要在一个Bank的操作完成之前插入对下一个Bank的操作。如图2，在发出对Bank0的ACT命令之后，无需等待对应的RD AP命令发出，只用满足tRRD时间要求，即可发出对另一个Bank的ACT命令。

　　按照这种工作模式，从图2中可以发现，对Bank2的ACT命令实际上延迟了一个时钟周期，该命令本来应该在RD AP(Bank 0)的位置出现，但由于RD AP(Bank 0)命令已经出现在该时钟周期(占用了地址总线，以发出Column地址)，从硬件信号上来说，即在这个周期已经使能了CAS#信号，所以无法使能对应另一个Bank的RAS#信号，因此只能延时一个时钟周期。其结果是，本来应该是流水线式的数据输出流被打断，Bank1的数据输出后，需要等待一个时钟周期，Bank2的数据才得到输出。数据流间隙的出现，将影响芯片的性能。