DDR2 SDRAM介绍及其基于MPC8548 CPU的硬件设计(08-100)
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针对这个问题，DDR2 SDRAM做了改进。DDR2 SDRAM允许RD AP命令提前发出，甚至可以紧跟ACT命令发出，但是要等待一个Additive Latency(即AL，附加延时)后，该RD AP命令才能执行。如图3所示。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/91686.htm 
图3 引入附加延迟AL的DDR2 SDRAM读取模式【1】
在图3中，AL设置为tRCD-1，此时，可以实现ACT和RD AP命令背靠背的发出，只不过，DDR2 SDRAM需要抑制RD AP命令，直到AL延时满足后才能执行。
图4 引入AL后的多Bank数据读取
如图4，引入AL并设置AL为tRCD-1后，对于多个Bank数据读取，输出数据流之间不再出现间隙。
这种为了避免ACT命令和RD AP命令冲突而提出的技术就叫做Posted CAS技术。其本质就是将CAS#信号的使能时间段(即RD AP命令)直接插入到紧跟RAS#信号的使能时间段(即ACT命令)之后，虽然读和写操作并没有得到提前，总的延迟时间也没有发生改变，但引入这种技术后，可以避免在多Bank操作中的一个Bank的CAS#信号和其他Bank的RAS#信号发生冲突，从而提高了存储芯片的使用效率。
可以通过配置DDR2 SDRAM芯片内部的EMR寄存器的第3～5位，将附加延时AL配置为0~5个时钟周期。
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