混合信号技术造就了体积更小的电源IC

AMI Semiconductor公司（位于美国爱华达州Pocatello）通过减小高压晶体管的导通电阻RDS(on)（降幅高达25%）和提高晶体管效率的方法，而使其混合信号半导体技术得到了进一步的改善。凭借这些经过改进的晶体管性能，该技术（名为I2T100 Smart Power）有望减小中高电压汽车和工业混合信号IC的外形尺寸和功耗。
---该技术将基于0.7μm混合信号CMOS制造工艺的40V、60V和100V晶体管，以及低、中和高电压电路、高精度模拟电路、非易失性存储器和某些中等复杂度的数字电路集成在单片芯片之上。最新版的I2T100通过在后端工艺中提供新功能的办法缩小了最常用的DMOS晶体管的节距。对于40V和60V实现方案，这将使晶体管的体积缩小25%左右，从而能够在不牺牲性能的情况下造就体积更小的混合信号ASIC和ASSP。
---此外，在晶体管面积相同的条件下，这种新版本的功耗要低得多。这一技术改进将使需要耗用高达5A电流（如嵌入式功率开关、H桥式电路和其他应用）的器件从中受益。
---I2T100器件采用2～3层金属、浮动NMOS和PDMOS晶体管以及双极型晶体管，从而为实现中高阻性多晶硅电阻器、中高电压浮动电容器以及深掺n+保护环的集成创造了条件。目前，除了高精度模拟电路（如带隙滤波器以及ADC和DAC）之外，ASIC和ASSP还能够集成电机控制器驱动器和DC/DC转换器，从而最大限度地缩短了新设计的面市时间。