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元器件:离子注入法制磁性半导体材料方法

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作者:时间:2007-11-13来源:电子市场收藏

  离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150~250keV的能量注入磁性离子,然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。

  主权项

    权利要求书1、离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,其特征是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150~250keV的能量注入磁性离子,然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。

 



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