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美高森美推出同级最佳低电容瞬态电压抑制二极管

作者:时间:2015-11-09来源:电子产品世界收藏

  致力于在电源、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商公司(Microsemi Corporation)发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频(RF) PIN二极管专门技术,以保护高速数据线路和其它应用,这些应用的电容量严苛要求,大大超过用于保护以太网及速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/282516.htm

  新型1N8149至 和 1N8149US 至 1N8182US表面安装低电容TVS二极管产品在10/1,000微秒下具有150W脉冲峰值功率,具有最大值仅为4pF的极低电容。150W TVS二极管的性能等同于在8/20微秒下提供高于1,000W的脉冲峰值功率,以及6.8 V 至 170V电压范围。新器件还符合依照IEC61000-4-2、IEC61000-4-5 和 RTCA-DO160标准规范的高端工业和航空电子静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和较低雷击威胁水平要求。正在开发在10/1,000微秒下具有较高500W额定功率的低电容TVS产品,以克服更高电压瞬变威胁。

  功率分立和模块业务部门高级总监兼业务部门经理Leon Gross表示:“朝向飞机电气化、更高可靠性和更高燃油效率的发展趋势正在增强,推动了对于功能日益强大而且更轻和更小,并提供出色瞬态过电压保护功能的TVS解决方案的需求。从全球需求的角度来看,总体保护器件市场很可能于2018年达到10亿美元。美高森美作为高可靠性解决方案的领导厂商,将继续进行全系列创新产品开发以支持不断演进的严苛行业需求。”

  美高森美公司的TVS二极管可在雷击之后不超过数纳秒的时间内进入雪崩击穿状态以钳制瞬态电压并将电流导引到地面,从而为飞机和其它电气系统提供极为关键的保护功能。

  美高森美:在TVS 器件领域继续保持领导地位

  美高森美TVS器件已经部署于世界各地日常使用的主要商业世界飞机,还用于多种引擎控制单元和激励器控制,以及各种配电、环境控制、通信和仪表系统。

  1N8149 至和 1N8149US至 1N8182US 表面安装 TVS系列的主要特性包括:

  在10/1000微秒下达到150W脉冲峰值功率

  在8/20微秒下达到1,000W脉冲峰值功率

  电容: < 4 pF

  符合MIL-PRF-19500标准要求,根据JANTXV等级进行筛选

  击穿电压:6.8V 至 170V

  外观: ROHS e3 和 non e3

  无卤素

  供货

  美高森美150W 系列低电容TVS二极管提供全部筛选级别,并且采用无空隙密封轴向和表面安装玻璃封装,请访问以下网址以获取数据表

  http://www.microsemi.com/product-directory/discretes/682-transient-voltage-suppressors#tvs-families。如要了解有关产品供货、销售或技术的信息,请联络Sales.Support@microsemi.com。



关键词: 美高森美 1N8182

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