日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容

　　今后产品扩充

　　SiC肖特基二极管和SiC MOSFET均计划扩充耐压1700V的产品系列。不仅如此，ROHM还正在开发可大幅降低芯片单位面积的导通电阻的、采用沟槽栅极结构的第3代SiC MOSFET。通过降低导通电阻和芯片成本，有望成为加速SiC普及的技术。

　　源于ROHM综合实力的硅材质IGBT功率元器件

　　在要求高频、耐高压兼备的领域，SiC功率元器件利用开关损耗小的优势，所发挥的效果尤为显著。与此相对，具有价格优势的硅材质功率元器件的活跃领域仍旧很大。在这种背景下，ROHM在传统的硅半导体功率元器件领域也在进行特色产品的开发，比如同时拥有MOSFET和IGBT特点的“Hybrid MOS”的开发等。

　　在硅材质IGBT领域，ROHM不仅拥有单独的半导体单体，作为综合型半导体产品制造商，还拥有融合了集团综合实力的复合型产品，相关产品阵容正日益扩大。下面介绍ROHM的硅材质IGBT功率元器件的产品阵容。

　　①IGBT单品

　　ROHM已推出两种耐压650V的IGBT元件产品。一种是RGTH系列，该系列不仅具备低饱和电压特性(额定电流下1.6V typ.)，而且其设计非常重视转换器电路所要求的高速开关性能，非常适用于开关电源的功率因数改善电路(PFC)、太阳能发电功率调节器的升压电路等。另一种是RGT系列，该系列也具备低饱和电压特性(额定电流下1.65V typ.)，而且具备逆变器电路应用中尤为需要的短路耐量保证(5μS)，很适合空调、洗衣机等白色家电、太阳能发电功率调节器、焊接机等的逆变器电路等应用。两种产品系列均含有将超高速软恢复FRD集于同一封装内的产品。今后，ROHM计划逐步完善1200V耐压的产品系列、符合AEC-Q101标准的车载应用产品系列等的产品阵容。

　　②IGBT IPM

　　ROHM的产品阵容中还新增了将低饱和电压特性卓越的IGBT单品、超高速软恢复FRD与栅极驱动IC、自举二极管集成于逆变器的IPM(智能功率模块)。(图6)

　　图6. ROHM的IGBT-IPM

　　下面是该产品的特点：

　　・采用应用了600V SOI工艺的栅极驱动IC，不会发生闭锁引发的故障。

　　・自举电路的限流电阻采用ROHM独有的电流限制方式，抑制启动时的浪涌电流的同时，实现上臂侧浮动电源的稳定化。

　　・配有UVLO、短路保护、温度检测功能等保护功能。

　　・采用业界顶级的低热阻陶瓷绝缘封装。

　　预计两种面向白色家电和小容量工业电机驱动用途的系列产品--在低载波频率(4～6kHz左右)下驱动、降低了饱和电压VCEsat的“低速开关驱动系列”，和在高载波频率(15-20kHz左右)下驱动、降低了开关损耗的“高速开关驱动系列” 将在2014年内实现量产(图7)。

　　图7. 适用不同载波频率的系列产品扩充

　　③点火装置用IGBT

　　作为车载应用的产品，ROHM推出了汽油发动机点火装置用IGBT，预计将于2014年末开始投入量产(图8)。

　　图8. 点火装置用IGBT的开发路线图

　　该产品不仅保证该应用所要求的雪崩耐量(250mJ @25℃)，还实现了低饱和电压特性。采用D-PAK封装，并满足汽车级电子元器件标准AEC-Q101的要求。

　　今后，继推出集电极-发射极间保护电压430±30V的产品之后，ROHM将通过集电极-发射极间保护电压与雪崩耐量的组合，继续进行机种扩充;并进行包括驱动IC在内的封装一体化“点火装置IGBT IPM”等所关注产品的开发。

　　结语

　　ROHM的功率元器件不仅在备受瞩目的SiC半导体领域，在硅半导体领域也在不断完善着产品阵容。今后也会继续发挥ROHM从分立式半导体到IC全覆盖的综合实力，不断推出满足多样化市场需求的产品。关于具体的产品数据、技术信息等，请登陆本公司的官网www.rohm.com.cn。