新闻中心

EEPW首页 > 光电显示 > 市场分析 > 晶电研发中心发表IR 850nm高效率发光产品

晶电研发中心发表IR 850nm高效率发光产品

作者:时间:2014-02-11来源:DIGITIMES收藏

  晶元光电研发中心(EPISTARLAB)技术团队积极投入研发,近日成功开发并导入许多前瞻性技术,如新颖性透明导电薄膜(TCO)材料、复合式反射镜结构、减少光线吸收之磊晶设计等。EPISTARLAB将相关技术导入后,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR产品效能,创下多项新纪录。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/221371.htm

  根据最新数据显示(如附图),SFPN42芯片尺寸1x1mm2,实验室环境中在操作电流40mA下,达最高光电转换效率75%;操作电流350mA下WPE大于70%;1A操作电流下.发光强度更是超越了1W,达输出功率1,027mW,领先各业界群雄,如此亮眼的水平使LED更趋于省电节能。

  晶元光电秉持着实现LED无限可能之精神,持续致力于提升产品效能,目前IR产品的应用范围除了以往的摇控器、开关等传统应用之外,也包括保全监视、智能触碰屏幕、无线通讯及交通系统等新应用,期望与客户携手将LED光源推广到更具潜力之市场上,并期许能协助客户提升竞争优势。

晶电研发中心发表IR 850nm高效率发光产品

  研发中心发表IR 高效率发光产品



关键词: 晶电 850nm

评论


技术专区

关闭