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基于AVR单片机对热敏电阻的温度测量

作者:时间:2013-12-07来源:网络收藏

1 负温 

PSB型负温由Co,Mn,Ni等过渡金属元素的氧化物组成,经高温烧成半陶瓷,利用半导体毫微米的精密加工工艺,采用玻璃管封装,耐温性好,可靠性高,反应速度快、灵敏度高。他采用轴向型结构,便于安装,能承受更高温度,且玻璃封装耐高低温(-50~350℃)。PT-25E2温度阻值变化曲线图如图1所示。基于AVR单片机对热敏电阻的温度测量
2 测温原理
电路如图2所示,标准电阻Rp,热敏电阻Rt,电容C1与三个引脚相连。其中PC0,PC1为一般普通IO引脚,CP1为捕获触发输入引脚,可以设定上升沿触发捕获中断。
Rp为100 kΩ的精密电阻;Rt为100 kΩ精度为1%的热敏电阻;C1为0.1μF的瓷片电容。基于AVR单片机对热敏电阻的温度测量

其工作原理为:
先将PC0,PC1,CP1都设为低电平输出,使C1完全放电。
接着将PC1,CP1设置为输入状态,PC0设为高电平输出,通过Rp电阻对C1充电,同时启动内部定时器从零开始计时。电容实际充电曲线如图3所示,当C1上的电压逐步升高到Vh,CP1检测出电压达到单片机高电平输入门槛电压时,将定时器计数值捕获,从而测出从开始充电到CP1转变为高电平的时间Tp。
再次将PC0,PC1,CP1都设为低电平输出,使C1完全放电。
随后将PC0,CP1设置为输人状态,PC1设为高电平输出,通过Rt电阻对C1充电,过程同上,得到时间Tt。基于AVR单片机对热敏电阻的温度测量

通过单片机计算得到热敏电阻Rt的阻值,并通过查表法可以得到温度值。
从上述可以看出,该测温电路的误差来源于这几个方面:单片机的定时器精度,精密电阻Rp的精度,热敏电阻Rt的精度,而与单片机的输出电压值、门槛电压值、电容精度无关。因此,适当选取热敏电阻Rt和精密电阻Rp的精度,单片机的工作频率够高,就可以得到较好的测温精度。
3 AVR捕获
本文以AVR系列中高性价比的ATmage88为例,利用16位时钟单元T/C1的捕获中断来实现电容充电时间的测量,单片机时钟选择8 MHz。输入捕获单元方框图如图4所示。当引脚ICP1上的逻辑电平(事件)发生了变化,并且这个电平变化为边沿检测器所证实,输入捕捉被激发:16位的TCNT1数据被复制到输入捕捉寄存器ICR1,同时输入捕捉标志位ICF1置位。如果此时ICIE1为1,输入捕捉标志将产生输入捕获中断。
ATmega88在3.3 V供电时,当电容电压上升到1.84 V时,如图3所示,发生捕获中断。


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