NAND Flash的驱动程序设计方案

　　参数说明：block，块号；返回值0，擦除错误（若是坏块直接返回0；若擦除出现错误则标记为坏块然后返回0），返回值1，成功擦除。

static int NF_EraseBlock(unsigned int block){/* 如果该块是坏块, 则返回 */
　　if(NF_IsBadBlock(block)) return 0;
　　NF_nFCE_L(); /* 片选NAND Flash芯片*/
　　NF_CMD(0x60); /* 设置擦写模式 *//* A9A16(Page Address) , 是基于块擦除*/
　　NF_ADDR(blockPage0xff);
　　NF_ADDR((blockPage>>8)0xff); /* A25(Page Address) */
　　NF_ADDR((blockPage>>16)0xff); NF_CMD(0xd0); WAITRB();CMD(0x70);
　　if(RDDATA()0x1){/*如有错,标为坏块,取消Flash选中*/
　　MarkBadBlock(block);
　　return 0;
　　} else { /* 退出， 取消Flash 选中*/
　　return 1;}

3 ECC校检原理与实现

　　由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此在NAND的生产及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠地进行坏区检测。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个块或是页不能读取或全部出错，而是整个页（例如512字节）中只有一位或几位出错。对数据的校验常用的有奇偶校验、CRC校验等，而在NAND Flash处理中，一般使用一种专用的校验——ECC。ECC能纠正单位错误和检测双位错误，而且计算速度很快，但对1位以上的错误无法纠正，对2位以上的错误不保证能检测。ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这3字节共24位分成两部分：6位的列校验和16位的行校验，多余的2位置1，如表1所列。

表1 校检数据组成

　　首先介绍ECC的列校检。ECC的列校验和生成规则如图4所示，“^”表示“位异或”操作。由于篇幅关系，行校检不作介绍，感兴趣的读者可以参考芯片datasheet，在三星公司网站可以免费下载。

图4 列校验和生成规则

　　数学表达式为：

　　当向NAND Flash的页中写入数据时，每256字节生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到页的OOB数据区中。当从NAND Flash中读取数据时，每256字节生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和与新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示无错（或者出现了 ECC无法检测的错误）；若3字节异或结果中存在11位为1，表示存在一个位错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在1位为1，表示 OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。

4 UBOOT下功能验证

　　实现UBOOT对NAND Flash的支持主要是在命令行下实现对NAND Flash的操作。对NAND Flash实现的命令为：nand info、nand device、nand read、nand write、nand erease、nand bad。用到的主要数据结构有：struct nand_flash_dev和struct nand_chip，前者包括主要的芯片型号、存储容量、设备ID、I/O总线宽度等信息，后者是对NAND Flash进行具体操作时用到的信息。由于将驱动移植到UBoot的方法不是本文重点，故不作详细介绍。

　　验证方式：通过TFTP将数据下载到SDRAM中，利用nand read、nand write、nand erease三个命令对NAND Flash进行