32位元MCU功耗再降

物联网与智慧生活风潮兴起，带动市场对高效能且低功耗的32位元微控制器（MCU）需求增温，因此微控制器业者已积极从制程和中央处理器（CPU）核心选择，以及电路设计等层面着手，以降低动态与静态功耗，并兼顾整体运算效能。

　　传统的低功耗微控制器（MCU）设计都是以8位元MCU为主，因为8位元内核阈门相对较少，运行或泄露的电流低，售价也相对低廉。然而，许多新兴的应用皆需要比8位元内核更大的处理效率。

　　近年智慧生活的抬头、物联网的兴起，手持式消费性电子产品与无线功能需求愈来愈高、设计愈来愈复杂，要提高性能的同时又要兼顾低功耗，需要有一高性能、低功耗的主控MCU做为平台。此外，工业上的智慧化也在展开，如远端监控、数位化、网路化等。简言之，云端应用和物联网需求越来越多，已导致产品功能愈来愈复杂，运算需求愈来愈高。

　　2009年安谋国际（ARM）发表32位元Cortex-M0内核，提供MCU厂商一个强而有力的平台，加上制程微缩技术的进步，嵌入式快闪记忆体制程普及化及降价，主要成本来自记忆体大小及类比周边和输入输出（I/O）接脚数量，中央处理器（CPU）内核的成本差异已大幅缩短，更促进高性价比32位元低功耗MCU的快速发展。

　　运行与静态耗电量组成MCU功耗

　　在开始讨论低功耗MCU设计前，必须先探讨MCU功耗的来源，其主要由静态功耗及运行功耗两部分组成。实际的应用，须藉由计算平均功耗，决定最后系统功耗性能指标。

　　动态功耗与工作电压和频率相关

　　现代MCU已整合相当多的类比周边，不能单纯考量数位电路的动态功耗。MCU运行时的总功耗，由类比周边功耗和数位周边的动态功耗相加而得。类比电路的功耗通常由工作电压及其性能要求指标来决定，如100奈秒传递延迟（Propagation Delay）的比较器工作电流可能约为40微安培；当允许传递延迟规格为1微秒时，工作电流有机会降到个位数微安培。

　　数位电路的动态功耗主要来自开关频率、电压及等效负载电容，其计算公式如下：

　　PDynamic（动态功耗）~f（工作频率）xCL（等效负载电容）xVDD2（工作电压）

　　由以上公式可以理解到降低动态功耗最直接的方式，为降低工作电压及工作频率，但MCU实际应用面通常要求更宽广的工作电压及更高的效能。在降低工作电压方面，可以选择更先进的制程，并透过线性稳压器（LDO）让CPU内核、数位电路及与接脚输出入电压无关的类比周边在低压操作；I/O接脚及须与其他外部电路连接的类比周边，则在较高的系统电压操作，如此可以兼顾低功耗及宽工作电压的需求。

　　在降低工作频率这项参数上，一个设计优良的32位元MCU更能突显其效能优势，除了直觉的每秒可执行多少百万指令（MIPS）比较之外，32位元汇流排也代表更高的资料存取频宽，能以更低的工作频率达到相同的效能，进而降低整体功耗。另外，若MCU内建与操作频率相关的类比周边，例如石英晶体振荡电路、嵌入式快闪记忆体或电流式数位类比转换器（DAC），其电流消耗与转换频率成正比，也要纳入低功耗MCU的动态功耗设计考量。

　　静态功耗缩减挑战重重

　　传统静态功耗的定义是指系统时脉源关闭时，数位电路的漏电流，但是在混合讯号低功耗MCU的设计中，要同时考虑下列多种漏电流来源，包含数位电路漏电流、静态随机存取记忆体（SRAM）漏电流、待机时已关闭的模拟电路漏电流（例如ADC、嵌入式快闪记忆体）、待机时不关闭的模拟电路工作电流（如LDO、电压不足侦测（BOD））及I/O接脚的漏电流。

　　由于时脉源已关闭，影响静态功耗的主要参数为制程、电压及温度。也因此，降低静态功耗必须选择超低功耗制程，但是低功耗制程通常伴随较高的Vt，导致低电压类比周边设计困难。另外，以MCU待机电流1微安培的规格，代表