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英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

作者:时间:2021-08-06来源:电子产品世界收藏

近日,英飞凌科技股份有限公司近日推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合,具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括:电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202108/427431.htm

由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的硅二极管解决方案相比,新产品可降低多达 60% 的 Eon 和30%的Eoff。或者,也可在输出功率保持不变情况下,提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸,进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT,无需重新设计,便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。

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此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择,与纯硅设计相比,Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。由于SiC肖特基二极管能快速换流,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路,并降低总开关损耗。

目前,深圳科士达科技股份有限公司已成功导入650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT单管在其UPS与组串式光伏逆变器的新平台设计中,从而提升系统效率,优化系统性能。

深圳科士达科技股份有限公司董事长刘程宇就此表示:“科士达将与英飞凌有长年战略合作历程,持续在不间断电源与太阳能领域提供高可靠性的前沿科技产品,我们将在未来继续合作,在纵深的基础上开展更广泛的合作发展。”

英飞凌科技副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉表示:“我们的创新来自于技术进步和客户的需求。把Hybrid IGBT技术从模块导入到单管,以满足客户对高能效系统的追求,满足系统设计的灵活性,从而提高客户的竞争能力。” 

供货情况

CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延续先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二极管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK™ 1B和2B模块的成功经验。此分立式产品组合即日起接受订购。系列包含与半额定CoolSiC第6代二极管共同封装的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT,或与全额定CoolSiC第6代二极管共同封装的中等速度S5 IGBT。



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