可变电阻式随机存取存储器（ReRAM）
—— ReRAM 概况
ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202005/413166.htmReRAM是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。
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● SPI 接口： ［新品］4 Mbit ReRAM "MB85AS4MT"
ReRAM 产品
型号 ( | 存储密度 | 电源电压 | 工作频率 | 工作温度 | 读取电流 | 读取周期 | 封装 |
| MB85AS4MT ENG (939 KB) | 4Mbit | 1.65 至 3.6V | 5MHz | -40℃ 至 +85℃ | 0.2mA | 无限 | SOP-8 |
数据表)* MB85AS4MT是一个SPI接口产品
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