IBM z15集成1315MB海量缓存：14nm工艺媲美台积电5nm

近日,IBM披露了其新一代主机IBM z15的诸多技术细节,再次彰显了蓝色巨人的雄厚实力,尤其是缓存容量和密度惊人。

IBM z15集成了122亿个晶体管,比上代z14增加了25亿个,每颗芯片12个物理核心,总面积696平方毫米,与上代完相同。

IBM z15、z14核心规格对比

缓存分为四个级别,其中一二级集成于核心内部,三四级位于核心外,容量则都大大提升:每个核心一级指令缓存128KB、一级数据缓存128KB,总容量3MB;每个核心二级指令缓存4MB、二级数据缓存4MB,总容量96MB,比上代翻番。

三级缓存从128MB翻番至256MB,四级缓存则从672MB来到了960MB,几乎增加了一半。

这样算下来,每一颗处理器的四个级别缓存总容量就达到了惊人的1315MB。

频率方面,一二级缓存与CPU核心一样都运行在5.2GHz,三四级缓存则是半速2.6GHz。

IBM z15四个级别的缓存

更惊人的是,IBM z15的制造工艺依然是IBM、GlobalFoundries联合研发的14nm FinFET SOI。缓存增加如此之多,总面积却保持不变,当真是宝刀不老。

另外,z15的二三四级缓存都是高密度的eDRAM存储单元,每单元面积为0.0174平方微米,甚至比台积电5nm工艺下的SRAM密度还要高,后者每单元面积为0.021平方微米。

当然这样比较并不完全精确,因为SRAM每单元一般是六个晶体管,eDRAM则是一个,但也足以看出14nm工艺的炉火纯青。

WikiChip分析师David Schor也表示,IBM/GF 14nm被证明是极为出色的。

领先工艺的SRAM集成密度对比