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三星主攻HBM、英特尔集中eDRAM 跳脱存储器频宽限制

作者:时间:2016-07-21来源:Digitimes 收藏

  挹注次世代存储器半导体技术研发投资的电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)为打破存储器业界最大议题频宽(bandwith)的上限,正各自寻找解决方法。专注于研发高频宽存储器()和次世代SRAM技术,英特尔则正在研发嵌入式DRAM(eDRAM)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201607/294312.htm

  据Digital Times报导,英特尔预计2017年推出的次世代芯片Kaby Lake,将采用14纳米FinFET制程,搭载较Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM,内建于CPU Die,扮演提升系统快取(Cache)处理容量和速度的角色。

  英特尔过去3年间在CPU芯片内部设计实验性运用eDRAM,现开始成为英特尔的核心策略。eDRAM过去主要应用在图形处理器(GPU),英特尔2015年推出第6代处理器Skylake,配备eDRAM提升图形处理效能。

  韩国半导体业界认为,销售通用DRAM的、SK海力士(SK Hynix),对英特尔的尝试感到紧张。CPU和GPU性能每年飞跃性提升,存储器性能的进展速度相对较缓慢。

  目前最普遍的DRAM规格DDR模组可发挥的最大频宽理论上是10Gbps,2018年后可量产,反观处理器早已超过100Gbps水准。韩国半导体业界专家将此称为处理器和存储器间的瓶颈,或存储器的障壁。

  存储器业界霸主三星为解决问题,正着手研发次世代存储器。2015年三星成功研发10纳米制程SRAM,2016年将提升SRAM技术,将10纳米制程DRAM推向可量产阶段。该SRAM比起先前三星发表的14纳米SRAM,Cell面积缩减37.5%,性能、功耗方面都有改善。

  目前半导体业界仅三星可生产的2产品,应用范围也正不断拓宽。GPU搭载的产品,近来如惠普(HP)、IBM等整合CPU和GPU架构伺服器用处理器的业者增加,销售额也迅速攀升。

  近来半导体业者加速投资次世代存储器技术的理由,是CPU和存储器的瓶颈现象终将成为拓展IT市场需求的绊脚石。对存储器业者来说,未来2~3年是最重要的转捩点。



关键词: 三星 HBM

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