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一种低温漂低功耗的简易带隙基准电压设计

作者:时间:2010-07-07来源:网络收藏
模拟电路常常用到和电流。这些受电源、温度或者工艺参数的影响很小,为电路提供一个相对稳定的参考或者电流,从而保证整个模拟电路稳定工作。目前已经出现的高性能带隙基准,能够实现高精度、漂和低,但这些电路中一般都有运放,调试难度较大;电路结构复杂,原理不便理解。在一般的应用中,如果对带隙基准的要求不是特别高的情况下,完全可以采用一种更为简洁的电路结构。因此,这里介绍一种可行的带隙基准电压的,利用PTAT电压和双极性晶体管发射结电压的不同的温度特性,获取一个与温度无关的基准电压。

1 漂低带隙基准电压
带隙基准电压的设计目标,就是建立一个与电源和温度无关的直流电压VREF。进一步将该目标分为2个设计问题:设计与电源无关的偏置,获取能抵消温度影响的电压值。图1为其整体设计框图。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/180705.htm


1.1 与电源无关的偏置
首先设计与电源无关的偏置。考虑采用2个NMOS管和电阻做近似的电流镜做偏置,并充分利用电流镜的“电流复制”特点,设计一个简单的电流产生电路,如图2所示。在这个电路中,因为栅漏短接的MOS管都是由一个电流源驱动,所以I0和I1几乎与电源电压无关。同时,2条支路的电流关系是确定的,只要已知I0,便可由宽长比得到左边支路电流的大小。忽略沟道长度调制效应的影响,支路电流的比值和MOS管宽长比的比值成正比。为了唯一确定电流,加入电阻R1。则有:VGS1=VGS2+I0R1,忽略体效应,有:

由式(1)可见,输出电流与电源电压无关,但仍与工艺和温度有关。


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