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Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题

作者:时间:2010-09-17来源:网络收藏

 在讨论,在处理此类上此处用D会比用 效果更好,用RCD吸收,其电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/180482.htm

  


  

  电压波形(RC吸收)

  

  整流电压波形(RCD吸收)

  从这两张仿真图看来,其吸收效果相当,如不考虑二极管开通时高压降,可以认为吸收已经完全。

  试验过后,你应该会很惊喜,二极管可以采用贴片的(快速开关二极管,如果参数合适,1N4148不错),电阻电容都可以用贴片的。

  此处的RCD吸收设计,可以这样认为:为了吸收振荡尖峰,C应该有足够的容值,已便在吸收尖峰能量后,电容上的电压不会太高,为了平衡电容上的能量,电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉,所以理想的参数搭配,是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo),因为漏感尖峰能量有很多不确定因素,计算法很难凑效,所以下面介绍一种实验方法来设计

  1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C,D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148);

  2.可以选一个较小的电阻10K,1W电阻做吸收的R;

  3.逐渐加大负载,并观察电容C端电压与整流管尖峰电压:

  如C上电压纹波大于平均值的20%,需加大C值;

  如满载时,C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上,根据整流管耐压而定),说明吸收太弱,需减小电阻R;

模拟电路相关文章:模拟电路基础



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