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LED灯具失效分析及其电路保护措施

作者:时间:2012-07-02来源:网络收藏

损坏的原因

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/176778.htm

  一是来源于电源和驱动的,二是来源于器件本身的。通常LED电源和驱动的损坏来自于输入电源的过电冲击(EOS)以及负载端的断路故障。输入电源的过电冲击往往会造成驱动中驱动芯片的损坏,以及电容等被动元件发生击穿损坏。负载端的短路故障则可能引起驱动的过电流驱动,驱动有可能发生短路损坏或有短路故障导致的过热损坏。LED器件本身的失效主要有以下几种情况。

  1.瞬态过流事件

  瞬态过流事件是指流过LED的电流超过该LED技术数据手册中的最大额定电流,这可能是由于大电流直接产生也可能是由高电压间接产生,如瞬态雷击、开关电源的瞬态开关噪声、电网波动等过压事件引起的过流。这些事件都是瞬态的,持续时间极短,通常我们将其称为尖峰,如“电流尖峰”、“电压尖峰”。造成瞬态过流事件的情况还包括LED接通电源,或是带电插拔时的瞬态过电流。

  对于汽车中的LED照明,ISO7637-2的瞬态抛负载浪涌冲击则是其正常工作的一个重要威胁。

  LED遭受过电冲击后的失效模式并非固定,但通常会导致焊接线损坏,如图1所示。这种损坏通常由极大的瞬态过电流引起。除了导致焊接线烧断外,还可能导致靠近焊接线的其他部分损坏,例如密封材料。

  


  图1:LED焊接线烧断损坏。

  2.静电放电事件

  静电放电(ESD)损坏是目前高集成度半导体器件制造、运输和应用中最为常见的一种瞬态过压危害,而LED照明系统则须满足IEC61000-4-2标准的“人体静电放电模式”8kV接触放电,以防止系统在静电放电时有可能导致的过电冲击失效。

  LED PN结阵列性能将出现降低或损坏,如图2所示。ESD事件放电通路导致的LED芯片的内部失效,这种失效可能只是局部功能损坏,严重的话也会导致LED永久损坏。

  

图2:LED部分PN结损坏。

  图2:LED部分PN结损坏。

  对于接近80%能量都转化为热量的LED照明设计而言,热管理和故障过热是其面临的一个挑战。理论和实践都已经证明,LED的性能和寿命是与LED的PN结工作温度紧密相关。当LED芯片内结温升高10℃,光通量就会衰减1%,LED的寿命就会减少50%。

  电源及驱动电路的

  由于LED电源和驱动电路容易遭受过电冲击和短路故障而损坏,因此在驱动电路设计中要充分考虑各种故障状态的,以提高电路的可靠性,从而降低返修率。泰科电子的LVR系列PTC可以实现交流电源的过流和短路保护,ROV用于过电冲击和浪涌保护。POLYZEN系列是用于直流电源输入口的过压过流综合保护元件,LED灯串中的表面贴系列则是实现负载过流或断路故障保护(图3)。

  

  图3:LED电源及驱动电路的保护设计。

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