IR推出多用途80V MOSFET

作为原边MOSFET时，IRF1312能用于高达60V最大输入电压，因此最适用于36V至60V及48V稳压输入母线隔离式直流-直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类75V MOSFET相比，其80V额定电压提供额外6% 的防护带，使设计更加坚固耐用。

IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“很多用于原边应用的设计需要器件额定值降低至75%。现有的额定电压75V MOSFET在此要求下，只能支持输入电压最大为56V的系统。全新IRF1312 80V MOSFET可实现高达60V应用时的减额要求，因此能为36V至60V总线应用确保高可靠性，迎合电信及数据通信系统的要求。”

作为付边MOSFET时，IRF1312能在12V应用中提供比标准75V MOSFET高出0.4% 的效率，可用于最大输出电压达15V的付边电路。

全新MOSFET的栅电荷极低，可降低开关损耗。通态电阻也较低，能将传导损耗降至最低。该器件设有TO-220AB、D2Pak及TO-262封装。

全新IRF1312、IRF1312S及IRF1312L器件现已投入供应，基本规格下：

产品型号 IRF1312 IRF1312S IRF1312L

封装 TO-220ABD2PakTO-262

VDSS 80V

10Vgs下最大通态电阻RDSon 10mOhm

典型Qg值 93nC

典型Qgd值 34nC