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飞思卡尔RF业务部对美国航空航天和国防市场做出长期承诺

—— RF功率领域先驱者创建面向航空航天和国防市场的器件;采用多技术方法利用LDMOS、GaAs和GaN产品线的优势
作者:时间:2013-06-07来源:电子产品世界收藏

  射频()功率晶体管领域的全球领先企业半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措,主要展示其新型和现有商用功率和器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/146183.htm

  计划通过全新的氮化镓(GaN) 功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS 功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。这些产品将由主攻A&D市场和客户的一个由专业人员组成的专门团队提供支持。

  飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Ritu Favre表示:“飞思卡尔拥有60多年的RF功率创新和经验,我们希望将业务重点从我们领先的RF功率晶体管领域延伸至不断增长的A&D市场。飞思卡尔长期以来一直在与客户密切合作,共同创建经济高效的解决方案,这些解决方案结合了精湛的性能、久经考验的可靠性和极强的耐用性,A&D设备制造商将从中获益匪浅。”

  根据分析机构ABI Research的调查,到2018年面向全球国防市场的RF功率器件(4 GHz以下,4 W输出以上)的销售总额将达到1.44亿(美元)。

  ABI Research的RF器件研究总监Lance Wilson表示:“多年来,飞思卡尔一直是面向无线基础设施的RF功率器件领域的市场领先企业。当他们进入包括A&D在内的其他RF功率市场领域时,该经验和专业技术将为其带来极大帮助。”

  RF创新历程:现在面向航空航天和国防

  飞思卡尔的RF业务部门(前身是摩托罗拉半导体产品部门的一部分)在RF功率晶体管开发领域拥有60多年的历史和经验,在1952年推出了其首款器件。从那时起,它已成为面向无线基础设施市场的LDMOS RF功率晶体管领域的全球领先企业,每年提供3000多万件产品。飞思卡尔拥有RF功率晶体管市场的唯一设在美国的LDMOS器件制造工厂,并保留了自有的成品生产基地。

  公司的Airfast™ LDMOS器件提供高线性、宽瞬时带宽和先进的塑料封装。面向商业应用进行“强化”的飞思卡尔LDMOS产品非常适合满足A&D的要求,它能够在大于65:1的极端负载失配(VSWR)环境中运行,并具有静电放电(ESD)增强保护。公司推出的LDMOS器件频率范围可扩展至3 GHz以上,RF功率输出可达1250 W。飞思卡尔的GaAs MMIC器件覆盖5 GHz以上的应用,包括增益模块放大器、功率放大器(高达4 W)和具有低至0.35 dB的噪声指数的低噪放大器。飞思卡尔的首款GaN RF功率晶体管计划于2013年年末上市。

  这种独特的经验和世界级技术将由一支专注A&D市场(包括技术和应用支持)的RF专家团队完善。飞思卡尔RF A&D团队由飞思卡尔技术团队的高级成员领导,拥有超过30年的RF功率晶体管经验,包括从设计工程到执行管理。之前他担任飞思卡尔RF功率业务部门的营销总监,在市场、销售和分销领域拥有40年的经验。飞思卡尔产品还将由一支由营销、项目管理、应用、合规性和其他专业人员组成的团队提供额外支持,该团队主攻A&D市场和客户。

  已购面向A&D应用的新产品将包含在飞思卡尔长期供货计划中,供货期至少为15年。

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关键词: 飞思卡尔 RF 微波 A&D

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