瑞萨开发出低损耗碳化硅（SiC）功率器件
—— 有助于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统提高电源效率
(注1)碳化硅(SiC)：这种材料在热导率、允许的工作温度、辐射暴露及绝缘击穿场强等特性上优于硅，具有用于低损耗功率器件的巨大潜力。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/128665.htm(注2)反向恢复时间：当二极管在规定的正向电流已流过后从导通状态转换至关闭状态，由于在结中积累了少量载流子，因而将存在反向电流。反向恢复时间表示在切换至关闭状态后恢复到规定电流值所需的时间。
【附件】
RJS6005TDPP SiC SBD的产品规格
1. RJS6005TDPP的规格
- 反向峰值电压(VRM)：600 V
- 平均整流电流(Io)：15 A
- 正向压降(VF)：1.5 V
- 反向恢复时间(trr)：标准15 ns(ID = 10 A，VGSS = 10 V)
- 额定通道温度(Tch)：+150 ℃
- 封装：TO-220，全封
2. 参考图：正向电压的温度依赖性
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