碳化硅MOSFET的开关尖峰问题与TVS保护方案
在电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在开关过程中也可能面临电压尖峰的问题。本文将从专业硬件工程师的角度,探讨SiC MOSFET的开关尖峰问题,并介绍使用瞬态电压抑制二极管(TVS)进行保护的优势和上海雷卯电子提供的解决方案。
1. SiC MOSFET开关过程中的电压尖峰
SiC MOSFET在快速开关时,由于其内部寄生电容和电路寄生电感的作用,会在器件两端产生电压尖峰。这些尖峰可能远超过SiC MOSFET的最大额定电压,导致器件损坏或性能下降。
l 寄生电容充放电:SiC MOSFET内部的寄生电容在开关过程中快速充放电,产生电压尖峰。
l 电路寄生电感:电路布线和元件的寄生电感在电流变化时产生感应电压,加剧尖峰问题。
l 开关速度: SiC MOSFET的高开关速度虽然提高了效率,但也增加了电压尖峰的风险。
2. 使用TVS进行保护的优势
针对SiC MOSFET的电压尖峰问题,使用TVS二极管进行保护是一种经济高效的解决方案:
第一 快速响应:TVS二极管能够以皮秒级速度响应电压尖峰,迅速将能量导向地线。
第二 保护范围广:TVS二极管适用于多种电压等级,可以为SiC MOSFET提供全面的保护。
第三 成本效益:相比提高SiC MOSFET的耐压值,使用TVS二极管的成本更低,且易于集成。
3.上海雷卯电子的解决方案
上海雷卯电子作为专业的电子元件供应商,提供了针对SiC MOSFET开关尖峰电压的保护方案和器件。我们的产品线包括多种型号的TVS二极管,专为高效率、高频率的SiC MOSFET应用设计。SiC MOSFET与TVS保护电路如下:
上图展示了一个典型的SiC MOSFET与TVS保护电路。在这个电路中,TVS二极管并联在SiC MOSFET的漏极和源极之间,当电压尖峰产生时,TVS迅速导通,吸收尖峰能量,保护SiC MOSFET免受损害。
TVS 具体选择型号根据SIC MOS Vdss 电压来确定:SIC MOS Vdss 大多600V 以上,以下列表TVS型号需用两颗串联使用,具体方案选型可咨询有丰富经验的上海雷卯EMC小哥。
在此列出上海雷卯可以供应的部分 SIC MOS 产品
4保护案例
案例一:
在某新能源汽车的电源管理系统中,采用了 SiC MOSFET 作为功率开关器件,同时配合高性能的 TVS 二极管进行过压保护。通过精确的电路设计和参数匹配,有效地提升了系统的效率和可靠性。在车辆频繁的启动、加速和充电过程中,成功地避免了因瞬态过压而导致的器件损坏,保障了车辆电源系统的稳定运行。
案例二:
在某工业变频器中,使用 SiC MOSFET 实现高效的功率转换,并在关键位置配置了 TVS 保护器件。特别是在电机的启停和负载突变的情况下,TVS 能够迅速吸收过高的电压尖峰,保护 SiC MOSFET 不受损坏。这一方案显著提高了变频器的稳定性和使用寿命,降低了维护成本。
案例三:
在某通信****的电源模块中,采用先进的 SiC MOSFET 技术,并结合精心选择的 TVS 二极管来应对电网中的浪涌和瞬态电压。经过长时间的运行测试,该方案有效地保护了电源模块免受恶劣电网环境的影响,确保了通信****的持续稳定工作,提高了通信服务的质量。
这些案例表明,合理选择和应用 SiC MOSFET 与 TVS 保护方案可以在不同的电子系统中取得显著的效果,提升系统的性能和可靠性。
5. 结论
SiC MOSFET虽然性能优越,但在开关过程中的电压尖峰问题不容忽视。通过并联TVS二极管进行保护,不仅可以确保SiC MOSFET的工作正常,而且相比提高耐压值,具有更高的性价比。上海雷卯电子提供的保护方案和器件,为SiC MOSFET的应用提供了可靠的保障。
请注意,以上内容为示例性质,实际应用中应根据具体的电路参数和应用需求进行设计和选择。同时,文中提到的上海雷卯电子及其产品仅为示例,用于说明保护方案的可行性。在实际应用中,应选择经过验证的可靠供应商和产品。
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。