MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

这是MOS管和IGBT管的内部结构：

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

另外，MOS管和IGBT的选择可以参考以下几点：

MOS                          IBGT

切换功率大于100KHz           切换功率低于25KHz

输入电压低于250V             输入电压高于1000V

较小的输出功率的场合         较大输出功率的场合

                            电流变化较小的负载

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，工作频率高，缺点是导通电阻大，在高压大电流场合功耗较大；IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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