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ATN3580-01射频固定衰减器芯片

发布人:立维 时间:2026-04-10 来源:工程师 发布文章

ATN3580-01射频固定衰减器芯片

ATN3580-01Skyworks Solutions Inc.旗下ATN3580系列的宽带射频固定衰减器芯片,采用高阻硅基薄膜电阻工艺,具备优异的衰减平坦度与回波损耗,专为微波、射频通信、国防及测试测量系统设计,用于精准信号电平控制、阻抗匹配与链路隔离。

规格参数

衰减值1 dB

频率范围100 MHz ~ 40 GHz

功率处理能力1 W(连续波)

封装类型表面贴装(Surface Mount模块封装

工作温度-55°C ~ +150°C

衰减平坦度:0.1-12 GHz 时为 ±0.2 dB0.1-26.5 GHz 时为 ±0.4 dB0.1-40 GHz 时为 ±0.6 dB

回波损耗:0.1-12 GHz 时 > 23 dB0.1-26.5 GHz 时 > 18 dB0.1-40 GHz 时 > 15 dB

衰减公差@ DC±0.15 dB

技术特性

薄膜技术:采用坚固的薄膜硅芯片技术,相较于传统厚膜印刷衰减器,具有更高的功率处理能力和更优的温度稳定性。

平衡TEE结构:设计采用平衡TEE电阻结构,确保在宽频带内实现平坦的频率响应,衰减平坦度控制在±0.25dB以内(DC40GHz)。

高精度制造:通过激光调阻等高精度制造工艺,实现衰减量的精确控制,满足高精度射频电路的需求。

设计优势

小型化设计:采用芯片级封装,体积小、重量轻,便于集成到各种紧凑的射频电路中。

高可靠性:薄膜硅芯片技术具有高可靠性和长寿命,适用于对可靠性要求严苛的应用场景。

易于集成:提供标准的引脚定义和封装形式,便于与其他射频组件进行集成和互连。

应用场景

无线通信设备:在基站、中继器等无线通信设备中,用于降低信号强度,保护接收模块免受强信号损伤。

测试设备:在射频测试设备中,作为标准衰减器使用,用于校准和测试其他射频组件的性能。

微波电路:在微波电路设计中,用于实现精确的阻抗匹配和信号强度控制,提升电路的整体性能。


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关键词: ATN3580-01 射频固定衰减器芯片

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