CHA6154-99F三级单片氮化镓（GaN）中功率放大器

CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三级单片氮化镓（GaN）中功率放大器，采用先进的 GaN-on-SiC 工艺制造，专为高频应用设计，具备高输出功率、高功率附加效率及优异的线性度，同时以裸片形式提供，支持高频场景下的高效集成与可靠运行。

规格参数

工作频率：7.25 - 7.75 GHz

技术工艺：GaN-on-SiC HEMT

封装形式：裸片（Bare Die）

芯片尺寸：4.08 × 1.7 mm²

芯片厚度：100 μm ± 10 μm

电气特性（Tbackside = 25°C, VD = 28V, IDQ = 70mA）

小信号增益：36.5 dB

饱和输出功率：34.5 dBm（约2.8W）

功率附加效率（PAE）：43%

线性输出功率：>1W（30.4 dBm）

噪声功率比（NPR）：17 dBc（@ 30.4 dBm，500MHz带宽）

静态电流：70 mA

漏极电压：28 V

栅极电压：-3.41 V（调谐至IDQ = 70mA）

技术特性

三级放大结构：通过三级级联设计优化增益平坦度与线性度，适应复杂信号环境。

GaN-on-SiC HEMT 工艺：

氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）衬底结合，实现高功率密度、高效率及优异散热性能。

工艺通过空间级评估，适合严苛环境（如航天应用）。

裸片形式（Bare Die）：直接集成至混合电路，减少寄生参数，提升高频性能。

性能优势

高频高效：在 7.25-7.75 GHz 频段内保持高效率（PAE 达 43%），降低系统散热需求。

高线性度：线性输出功率 >1W 且 NPR 达 17 dBc，满足通信系统对信号保真度的要求。

空间级可靠性：GaN-on-SiC 工艺通过严苛环境测试，适合航天、军事等高可靠性场景。

应用场景

雷达系统：用于发射机前端，提供高功率、高效率信号放大，支持目标探测与跟踪。

卫星通信：在地面站或卫星终端中，确保信号在长距离传输中的强度与质量。

电信基础设施：适用于微波链路、点对点通信等高频宽带场景。

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