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电容处理器芯片的工作原理主要基于电容传感器的原理,通过检测电容的变化来感知物理量的变化。电容传感器利用两个导体之间的电容变化来检测各种物理量,如距离、位置、液位和压力等。
电容传感器的工作原理基于电容的基本定义:两个导体之间的电容随着它们之间的距离、面积以及介质的电容率的变化而变化。当被测物体的性质(如位置、物质成分、温度等)引起这些参数变化时,通过精确测量电容的变化,可以得到关于被测物体的重要信息。
在处理器芯片中,电容传感器常用于触摸屏和接近传感器等应用。例如, 电容式触摸芯片 利用电容的变化来检测触摸事件。触摸屏表面覆盖一层导电材料,当手指接触屏幕时,手指的电场会引起电容的变化。芯片通过检测这些变化来判断触摸的坐标和力度,从而实现触控功能。

工采网代理的MCP61系列(Mysentech Capacitive Processor)是新一代电容传感微处理器SOC芯片,集成了双通道电容型模拟前端传感电路(AFECAP),可直接与被测物附近的差分电容极板相连,通过谐振激励并解算测量微小电容的变化。激励频率在0.1~20MHz范围内可配置,其频率测量输出为16bit数字信号,对应的电容感知较高分辨率为1fF。
芯片内置了高集成度双通道电容传感电路,测量通道1 C0P/C0N 与通道2 C1P/C1N可根据应用需求直接与被测物附近的差分电容极板相连,通过测量振荡频率,解算被测目标的电容。AFE通过处理器内部配置PA7端口给电容模块提供基准时钟,也可以应用内部模拟时钟。处理器PA6端口可用于控制电容模块启动工作,处理器端口PA8、PA9用于在芯片内部与电容传感AFE之间进行I2C通讯。
为了解决各行业的电容传感应用,SOC芯片集成了Arm® Cortex®-M0内核的微处理器,可实现各种嵌入式感知处理的算法,将原始的振荡频率数值,转换成电容值及液位、含水率、位移距离等具体物理量。此外,芯片的模拟前端还集成了温度传感电路,可用于进行温度补偿的传感场景。内置的16KB Flash存储器,2KB SRAM,可让开发者编写应用软件,并存储传感校准及应用数据。芯片同时集成了ADC、高级定时器、通用定时器、位基本定时器等硬件资源以及USART、SPI和I2C接口。
典型应用电路:

数字电容传感芯片 - MCP61的特性:
电容检测前端
– 测量双端互电容
– 电容测量范围:1~1000pF
– 电容检测频率:0.1~20MHz
内核与系统
– 32-bit Arm®Cortex®-M0
– 工作频率可达48MHz
l 存储器
– 16KB Flash存储器
– 2KB SRAM
低功耗
– 多种低功耗模式,包括:睡眠(Sleep)、停机(Stop)和深度停机(Deep Stop)
– 平均功耗:12uA@1Hz
部通道和1个可采集内置参考电压的内部通道
CRC计算单元
调试模式–串行调试接口(SWD)接口
工作温度范围-40℃~+85℃
QSOP24/QFN24 封装可选
数字电容传感芯片 - MCP61的应用:
连续液位检测
水浸检测
物质介电检测
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